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1. (WO2018177807) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/177807    International Application No.:    PCT/EP2018/057001
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 21 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/54
H01L 33/60
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: PERZLMAIER, Korbinian
RAFAEL, Christine
TÅNGRING, Ivar
Title: COMPOSANT SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Une forme de réalisation de l'invention concerne un composant semiconducteur (1) qui contient une puce de diode électroluminescente (2) destinée à générer un rayonnement et une charge de remplissage (3) qui est transparente pour le rayonnement. Le composant semiconducteur (1) possède en outre un réflecteur (4) pour le rayonnement. La puce de diode électroluminescente (2) comporte une séquence de couches en semiconducteur (21) destinées à générer le rayonnement, des points de contact électriques (23, 24) sur un côté de montage (26), un corps porteur (22) ainsi qu'une couche anti-imprégnation (5). La couche anti-imprégnation (5) a un effet répulsif pour un matériau du réflecteur (4) et la charge de remplissage (3). La couche anti-imprégnation (5) est dégagée latéralement au niveau de la puce de diode électroluminescente (2) et se trouve entre la séquence de couches en semiconducteur (21) et le corps porteur (22) et/ou à côté de la séquence de couches en semiconducteur (21) dans la direction latérale (L). La charge de remplissage (3) et le réflecteur (4) viennent en butée l'un contre l'autre au niveau de la couche anti-imprégnation (5). La charge de remplissage (3) s'élargit dans la direction à l'opposé du côté de montage (26), de sorte qu'une réflexion du rayonnement se produit au niveau d'une surface de délimitation (34) entre la charge de remplissage (3) et le réflecteur (4), dans une direction à l'opposé du corps porteur (22).