Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018177426) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/177426    International Application No.:    PCT/CN2018/081392
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 31 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/441
Applicants: DYNAX SEMICONDUCTOR, INC.
苏州能讯高能半导体有限公司
Inventors: PEI, Yi
裴轶
LIU, Feihang
刘飞航
Title: DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne le domaine technique des semiconducteurs et fournit un dispositif à semiconducteur et son procédé de fabrication. Selon un mode de réalisation, le dispositif à semiconducteur (100) comprend : un substrat (101); une couche semiconductrice (102) située sur un côté du substrat; une source (103), un drain (104) et une grille (105) située entre la source et le drain qui sont situées sur un côté, à distance du substrat, de la couche semiconductrice; et une structure d'isolation (106) disposée sur un côté, à distance du substrat, de la couche semiconductrice. Une extrémité de la structure d'isolation est disposée à proximité d'un côté de la source, et l'autre extrémité de celle-ci est disposée à proximité d'un côté du drain et est en contact direct avec la surface du dispositif à semiconducteur. La structure d'isolation recouvre la grille ou une partie de la grille. La structure d'isolation est d'une structure intégrée, et forme une cavité avec la couche semiconductrice. Au moins une partie de la grille est située dans la cavité. Une ouverture est formée dans la cavité le long d'une direction d'extension de grille. L'ouverture est scellée par une structure d'étanchéité (107) pour former une cavité étanche.