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1. (WO2018176995) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP COMPOSITE
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N° de publication : WO/2018/176995 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/072964
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 17.01.2018
CIB :
H01L 51/40 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
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Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
北京赛特超润界面科技有限公司 BEIJING SCITECH NANOTECHNOLOGY COMPANY LIMITED [CN/CN]; 中国北京市 顺义区林河北大街10号赵雪峥、吴煜呈 ZHAO, Xuezheng; WU, Yucheng No.10, Lin He North Street, Shunyi District Beijing 101300, CN
Inventeurs :
吴雨辰 WU, Yuchen; CN
刘芸 LIU, Yun; CN
江雷 JIANG, Lei; CN
Mandataire :
北京崇智专利代理事务所(普通合伙) BEIJING CHONGZHI PATENT OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP); 中国北京市 海淀区紫竹院路116号嘉豪国际中心C座907程旭辉 CHENG, Xuhui 907, Block C, Jiahao International Center No.116 of Zizhuyuan Road, Haidian District Beijing 100097, CN
Données relatives à la priorité :
201710192082.828.03.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING COMPOSITE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP COMPOSITE
(ZH) 一种制备复合物场效应晶体管的方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a method for preparing a composite field-effect transistor, comprising the following steps: 1) dissolving polymer molecules in an organic solvent to obtain a polymer solution, and immersing graphene in the polymer solution to obtain a mixed dispersion; 2) suction-filtering the mixed dispersion and cleaning same to obtain a graphene composite, wherein the polymer is adsorbed on the surface of same; 3) re-dispersing the graphene composite in the organic solvent to obtain a composite dispersion; and 4) dropwise adding the composite dispersion onto a silicon wafer having a microcolumn structure and covering same with a plate substrate, such that the polymer-graphene composite self-assembles into a regular one-dimensional array at the microcolumn position on the surface of the plate, so as to form a composite field-effect transistor. The performance of the prepared field-effect transistor of the polymer-graphene composite structure is significantly improved compared with that of the field-effect transistor with only a polymer. The method is simple and convenient, and the cost is low.
(FR) L'invention concerne un procédé de préparation d'un transistor à effet de champ composite, comprenant les étapes suivantes consistant à : 1) dissoudre des molécules de polymère dans un solvant organique pour obtenir une solution de polymère, et immerger du graphène dans la solution de polymère pour obtenir une dispersion mixte ; 2) filtrer par aspiration la dispersion mixte et la nettoyer pour obtenir un composite de graphène, le polymère étant adsorbé sur la surface de celui-ci ; 3) disperser de nouveau le composite de graphène dans le solvant organique pour obtenir une dispersion composite ; et 4) ajouter goutte à goutte la dispersion composite sur une tranche de silicium ayant une structure de microcolonne et la recouvrir avec un substrat de plaque, de telle sorte que le composite polymère-graphène s'auto-assemble en un réseau unidimensionnel régulier au niveau de la position de microcolonne sur la surface de la plaque, de manière à former un transistor à effet de champ composite. La performance du transistor à effet de champ préparé de la structure composite polymère-graphène est considérablement améliorée par rapport à celle du transistor à effet de champ avec seulement un polymère. Le procédé est simple et commode, et le coût est faible.
(ZH) 一种制备复合物场效应晶体管的方法,包括以下步骤:1)将聚合物分子溶解在有机溶剂中得到聚合物溶液,将石墨烯浸泡于聚合物溶液中,得到混合分散液;2)对混合分散液抽滤清洗,得到表面吸附聚合物的石墨烯复合物;3)将石墨烯复合物再次分散于有机溶剂中,制得复合物分散液;4)将复合物分散液滴加在具有微柱结构的硅片上并盖上一层平板基底,使聚合物-石墨烯复合物在平板表面微柱位置自组装成规整的一维阵列,制成复合物场效应晶体管。所制备的聚合物-石墨烯复合结构场效应晶体管的性能较之于单纯聚合物场效应晶体管有了显著的提高,方法简单方便,成本低廉。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)