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1. (WO2018176880) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL

Pub. No.:    WO/2018/176880    International Application No.:    PCT/CN2017/113328
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 29 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/77
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventors: JIANG, Chunsheng
姜春生
WU, Yue
武岳
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat matriciel, consistant à : former successivement une première couche métallique (2), une couche de grille (3), une couche d'isolation de grille (4), une couche semi-conductrice (5), une seconde couche métallique (6), une couche de source (7) et une couche de drain (8) sur une base de substrat (1). La formation de la couche de grille sur la première couche métallique consiste à : déposer une couche métallique de grille et exécuter une exposition, un développement et une gravure humide ; et éliminer une couche de résine photosensible, des cations métalliques ayant un potentiel de corrosion chimique inférieur ou égal à celui de la première couche métallique étant ajoutés dans un liquide de décapage. Le problème de court-circuit est évité.