Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018176583) STRUCTURE DE PIXEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/176583    International Application No.:    PCT/CN2017/083689
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu May 11 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 33/00
H01L 27/15
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: LI, Dongze
李冬泽
CHEN, Lixuan
陈黎暄
Title: STRUCTURE DE PIXEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L’invention concerne une structure de pixel et un procédé de fabrication. Le procédé de fabrication comprend : la préparation d'un substrat (11) ; la fabrication, sur le substrat, d'une couche de résine photosensible noire (12) comportant une cavité de réception (121) et une zone d'isolation (122) ; le revêtement d'une surface, autre que la zone d'isolation, de la couche de résine photosensible noire au moyen d'une solution de polyélectrolytes, le séchage à l'air de la surface, et la formation d'une couche de polyélectrolytes (13) ; le revêtement d'une surface de la couche de polyélectrolytes au moyen d'une solution de nanoparticules métalliques, le séchage à l'air de la surface, et la formation d'une couche de particules métalliques (14) ; et l'alignement et le transfert d'une micro-diode électroluminescente (15) sur la couche de résine photosensible noire. Au moyen du procédé, le taux d'utilisation de lumière d'une diode électroluminescente peut être augmenté.