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1. (WO2018176568) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT TFT

Pub. No.:    WO/2018/176568    International Application No.:    PCT/CN2017/082815
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu May 04 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/84
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventors: ZHOU, Zhichao
周志超
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT TFT
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat TFT, comprenant les étapes consistant à : former, au moyen d'un premier processus de masque et sur un substrat (11), une couche tampon (12), une ligne de données (104), une source (105), une première ligne de balayage (101), une seconde ligne de balayage (102), et une grille (103) ; former, au moyen d'un deuxième processus de masque et sur le substrat (11), une première couche d'isolation (151), une seconde couche d'isolation (152), une première couche semi-conductrice (171A), et une seconde couche semi-conductrice (172) ; et former, au moyen d'un troisième processus de masque et sur le substrat (11), une première couche conductrice (171B), une partie de connexion électrique (191) et un drain (192).