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1. (WO2018176548) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'HUMIDITÉ, ET CAPTEUR D'HUMIDITÉ FABRIQUÉ AU MOYEN DE CE PROCÉDÉ
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N° de publication : WO/2018/176548 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/082345
Date de publication : 04.10.2018 Date de dépôt international : 28.04.2017
CIB :
G01N 27/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
22
en recherchant la capacité
Déposants :
上海申矽凌微电子科技有限公司 SHANGHAI SENSYLINK MICROELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国上海市 闵行区虹梅南路2588号1幢A320室 Room A320, Building 1, No.2588, South Hongmei Road, Minhang District Shanghai 201108, CN
Inventeurs :
赖建文 LAI, John Jianwen; CN
Mandataire :
上海汉声知识产权代理有限公司 SHANGHAI HANGSOME INTELLECTUAL PROPERTY LTD.; 中国上海市 闵行区银都路3828弄56号307室 Room 307,No.56, Lane 3828,Yindu Rd., Minhang District Shanghai 201108, CN
Données relatives à la priorité :
201710213907.X01.04.2017CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR HUMIDITY SENSOR, AND HUMIDITY SENSOR MANUFACTURED BY USING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'HUMIDITÉ, ET CAPTEUR D'HUMIDITÉ FABRIQUÉ AU MOYEN DE CE PROCÉDÉ
(ZH) 湿敏传感器的制造方法以及使用该方法制造的湿敏传感器
Abrégé :
(EN) A manufacturing method for a humidity sensor, and the humidity sensor manufactured by using the method. The method comprises the following steps: forming a conductive zero layer (2) on a silicon wafer substrate (1) by using an ion implantation method and high-temperature annealing; growing a first silicon oxide dielectric layer (3) on the conductive zero layer; forming a first contact hole (4) on the first silicon oxide dielectric layer; depositing a first metal thin film layer (5) on the first silicon oxide dielectric layer by using a physical vapor deposition method, the first metal thin film layer being connected to the conductive zero layer by means of the first contact hole; forming a heating resistor; depositing a second silicon oxide dielectric layer (6), and forming a second contact hole (7) penetrating through the second silicon oxide dielectric layer; depositing a second metal thin film layer (8), the second and first metal thin film layers being connected by means of the second contact hole; forming an interdigital capacitor; depositing a third silicon oxide dielectric layer (9); and coating a humidity-sensitive polyimide thin film material (10). The heating resistor can heat a humidity-sensitive capacitor and evaporate redundant water, so that the humidity sensor restores normal functions.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'humidité et le capteur d'humidité fabriqué au moyen du procédé. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : former une couche zéro conductrice (2) sur un substrat de tranche de silicium (1) à l'aide d'un procédé d'implantation ionique et d'un recuit à haute température ; augmenter une première couche diélectrique d'oxyde de silicium (3) sur la couche zéro conductrice ; former un premier trou de contact (4) sur la première couche diélectrique d'oxyde de silicium ; déposer une première couche de film mince métallique (5) sur la première couche diélectrique d'oxyde de silicium à l'aide d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur, la première couche de film mince métallique étant connectée à la couche zéro conductrice au moyen du premier trou de contact ; former une résistance chauffante ; déposer une seconde couche diélectrique d'oxyde de silicium (6), et former un second trou de contact (7) pénétrant à travers la seconde couche diélectrique d'oxyde de silicium ; déposer une seconde couche de film mince métallique (8), les seconde et première couches de film mince métalliques étant reliées au moyen du deuxième trou de contact ; former un condensateur interdigité ; déposer une troisième couche diélectrique d'oxyde de silicium (9) ; et revêtir un matériau de film mince de polyimide sensible à l'humidité (10). La résistance chauffante peut chauffer un condensateur sensible à l'humidité et évaporer l'eau redondante, de telle sorte que le capteur d'humidité restaure des fonctions normales.
(ZH) 一种湿敏传感器的制造方法以及使用该方法制造的湿敏传感器,包括如下步骤:在硅片衬底(1)上用离子注入法和高温退火形成导电零层(2);在导电零层上生长第一氧化硅介质层(3);在第一氧化硅介质层上开出第一接触孔(4);在第一氧化硅介质层上用物理气相沉积法淀积第一金属薄膜层(5),第一金属薄膜层通过第一接触孔连接导电零层;形成加热电阻;淀积第二氧化硅介质层(6),开出贯穿第二氧化硅介质层的第二接触孔(7);淀积第二金属薄膜层(8),第二接触孔连接第二与第一金属薄膜层,形成叉指电容;淀积第三氧化硅介质层(9);涂布湿敏聚酰亚胺薄膜材料(10)。加热电阻可以将湿敏电容加热,把过多的水分蒸发掉,使湿度传感器恢复正常功能。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)