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1. (WO2018176537) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/176537    International Application No.:    PCT/CN2017/081774
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Apr 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 29/78
H01L 29/12
H01L 29/16
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventors: XIE, Huafei
谢华飞
Title: TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
La présente invention a trait à un transistor à effet de champ et à son procédé de fabrication. Le procédé consiste à : déposer une première couche d'isolation sur un substrat (S11) ; former une électrode de source et une électrode de drain sur la première couche d'isolation (S12) ; former une couche active à points quantiques de carbone recouvrant l'électrode de source et l'électrode de drain (S13) ; et former successivement une seconde couche d'isolation et une électrode de grille sur la couche active à points quantiques de carbone (S14). Au moyen du procédé, un matériau à points quantiques de carbone est utilisé pour fabriquer une couche active dans un transistor à effet de champ, de telle sorte que le matériau de fabrication du transistor à effet de champ est enrichi, la pollution environnementale créée lorsqu'une couche de film de point métallique est utilisée pour fabriquer la couche active dans l'état de la technique est réduite, et la dépendance vis-à-vis des éléments métalliques est réduite en même temps.