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1. (WO2018166148) DÉTECTEUR OPTIQUE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CAPTEUR DE RECONNAISSANCE D'EMPREINTES DIGITALES, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/166148 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/100462
Date de publication : 20.09.2018 Date de dépôt international : 05.09.2017
CIB :
H01L 21/44 (2006.01) ,H01L 21/82 (2006.01) ,G06K 9/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
44
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
K
RECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
9
Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang, Beijing 100015, CN
Inventeurs : SUN, Jianming; CN
NING, Ce; CN
ZHANG, Wenlin; CN
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201710144824.X13.03.2017CN
Titre (EN) OPTICAL DETECTOR, FABRICATION METHOD THEREOF, FINGERPRINT RECOGNITION SENSOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) DÉTECTEUR OPTIQUE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CAPTEUR DE RECONNAISSANCE D'EMPREINTES DIGITALES, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abrégé :
(EN) An optical detector includes a stacked structure, an active layer, a gate insulating layer, and a gate electrode. The stacked structure includes a first electrode, a photoelectric conversion layer, a second electrode, a first insulating layer, and a third electrode. The active layer is electrically coupled to one of the first electrode or the second electrode, and electrically coupled to the third electrode. The gate insulating layer is arranged on the active layer. The gate electrode is arranged on the gate insulating layer.
(FR) L'invention concerne un détecteur optique qui inclut une structure empilée, une couche active, une couche isolante de grille, et une électrode de grille. La structure empilée inclut une première électrode, une couche de conversion photoélectrique, une deuxième électrode, première couche isolante, et une troisième électrode. La couche active est couplée électriquement à une électrode parmi la première électrode ou la deuxième électrode, et couplée électriquement à la troisième électrode. La couche isolante de grille est agencée sur la couche active. L'électrode de grille est agencée sur la couche isolante de grille.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)