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1. (WO2018166024) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
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N° de publication : WO/2018/166024 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/080406
Date de publication : 20.09.2018 Date de dépôt international : 13.04.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No. 9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs : CAI, Xiaolong; CN
Mandataire : CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; Room A806 Zhongdi Building, China University of Geosciences Base, No. 8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Données relatives à la priorité :
201710153568.015.03.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TFT AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
(ZH) TFT的制造方法及阵列基板的制造方法
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a TFT and a method for manufacturing an array substrate. The method comprises: forming, on a base substrate (20), transfer layers (212) that are provided alternately at intervals; forming, on the transfer layers, a metal layer (22) covering the base substrate; and carrying out a DIW demoulding process on the transfer layers, so as to strip the transfer layers and the metal layer above same from the base substrate, and keeping the metal layer, not provided above the transfer layers, on the base substrate, so as to form a metal electrode (23) of the TFT.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un transistor à couches minces et un procédé de fabrication d’un substrat de matrice. Le procédé consiste à : former, sur un substrat de base (20), des couches de transfert (212) qui sont disposées en alternance à intervalles ; former, sur les couches de transfert, d'une couche métallique (22) recouvrant le substrat de base ; et réaliser un processus de démoulage DIW sur les couches de transfert, de manière à dénuder les couches de transfert et la couche métallique au-dessus de celles-ci à partir du substrat de base, et conserver la couche métallique, non disposée au-dessus des couches de transfert, sur le substrat de base, de manière à former une électrode métallique (23) du transistor à couches minces.
(ZH) 一种TFT的制造方法及阵列基板的制造方法。在衬底基材(20)上形成交错间隔设置的中转层(212);在中转层上形成覆盖衬底基材的金属层(22);对中转层进行DIW脱膜制程,以将中转层及其上方的金属层从衬底基材上剥离,而未设置在中转层上方的金属层保留在衬底基材上而形成TFT的金属电极(23)。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)