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1. (WO2018165396) MATÉRIAUX DENDRITIQUES À POROSITÉ HIÉRARCHISÉE
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N° de publication : WO/2018/165396 N° de la demande internationale : PCT/US2018/021494
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 08.03.2018
CIB :
C01B 32/20 (2017.01) ,H01G 11/22 (2013.01) ,H01G 11/32 (2013.01) ,H01G 11/84 (2013.01) ,H01G 13/06 (2006.01)
[IPC code unknown for C01B 32/20]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
22
Électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
22
Électrodes
30
caractérisées par leur matériau
32
à base de carbone
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
84
Procédés de fabrication de condensateurs hybrides ou EDL ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
13
Appareils spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs; Procédés spécialement adaptés à la fabrication de condensateurs non prévus dans les groupes H01G4/-H01G11/144
06
avec dispositions pour enlever les surfaces de métal
Déposants :
BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street Austin, Texas 78701, US
Inventeurs :
LI, Weigu; US
FAN, Donglei; US
Mandataire :
CUTCHINS, William W.; US
HALL, Miles E.; US
Données relatives à la priorité :
62/468,60308.03.2017US
Titre (EN) DENDRITIC MATERIALS WITH HIERARCHICAL POROSITY
(FR) MATÉRIAUX DENDRITIQUES À POROSITÉ HIÉRARCHISÉE
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are dendritically porous three-dimensional structures, including hierarchical dendritically porous three-dimensional structures. The structures include metal foams and graphite structures, and are useful in energy storage devices as well as chemical catalysis.
(FR) L'invention concerne des structures tridimensionnelles dendritiquement poreuses, comprenant des structures tridimensionnelles dendritiquement poreuses hiérarchisées. Les structures comprennent des mousses métalliques et des structures de graphite, et sont utiles dans des dispositifs de stockage d'énergie ainsi que pour la catalyse chimique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)