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1. (WO2018165235) TRANSDUCTEURS ULTRASONORES MICROFABRIQUÉS ET APPAREIL ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2018/165235 N° de la demande internationale : PCT/US2018/021257
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 07.03.2018
CIB :
B06B 1/02 (2006.01) ,B81B 1/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,B81C 3/00 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,G10K 11/18 (2006.01) ,G10K 11/36 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
06
PRODUCTION OU TRANSMISSION DES VIBRATIONS MÉCANIQUES, EN GÉNÉRAL
B
PRODUCTION OU TRANSMISSION DES VIBRATIONS MÉCANIQUES EN GÉNÉRAL
1
Procédés ou appareils pour produire des vibrations mécaniques de fréquence infrasonore, sonore ou ultrasonore
02
utilisant l'énergie électrique
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
1
Dispositifs sans éléments mobiles ou flexibles, p.ex. dispositifs capillaires microscopiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
3
Assemblage de dispositifs ou de systèmes à partir de composants qui ont reçu un traitement individuel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
G PHYSIQUE
10
INSTRUMENTS DE MUSIQUE; ACOUSTIQUE
K
DISPOSITIFS GÉNÉRATEURS DE SONS; PROCÉDÉS OU DISPOSITIFS DE PROTECTION CONTRE LE BRUIT OU LES AUTRES ONDES ACOUSTIQUES OU POUR AMORTIR CEUX-CI, EN GÉNÉRAL; ACOUSTIQUE NON PRÉVUE AILLEURS
11
Procédés ou dispositifs pour transmettre, conduire ou diriger le son en général; Procédés ou dispositifs de protection contre le bruit ou les autres ondes acoustiques ou pour amortir ceux-ci, en général
18
Procédés ou dispositifs pour transmettre, conduire ou diriger le son
G PHYSIQUE
10
INSTRUMENTS DE MUSIQUE; ACOUSTIQUE
K
DISPOSITIFS GÉNÉRATEURS DE SONS; PROCÉDÉS OU DISPOSITIFS DE PROTECTION CONTRE LE BRUIT OU LES AUTRES ONDES ACOUSTIQUES OU POUR AMORTIR CEUX-CI, EN GÉNÉRAL; ACOUSTIQUE NON PRÉVUE AILLEURS
11
Procédés ou dispositifs pour transmettre, conduire ou diriger le son en général; Procédés ou dispositifs de protection contre le bruit ou les autres ondes acoustiques ou pour amortir ceux-ci, en général
36
Dispositifs pour manipuler les ondes acoustiques de surface
Déposants :
BUTTERFLY NETWORK, INC. [US/US]; 530 Old Whitfield Street Guilford, CT 06437, US
Inventeurs :
ROTHBERG, Jonathan, M.; US
ALIE, Susan, A.; US
FIFE, Keith, G.; US
SANCHEZ, Nevada, J.; US
RALSTON, Tyler, S.; US
ZAHORIAN, Jaime, Scott; US
Mandataire :
FRANKLIN, Thomas, A.; US
Données relatives à la priorité :
15/453,84608.03.2017US
Titre (EN) MICROFABRICATED ULTRASONIC TRANSDUCERS AND RELATED APPARATUS AND METHODS
(FR) TRANSDUCTEURS ULTRASONORES MICROFABRIQUÉS ET APPAREIL ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) Micromachined ultrasonic transducers integrated with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) substrates are described, as well as methods of fabricating such devices. Fabrication may involve two separate wafer bonding steps. Wafer bonding may be used to fabricate sealed cavities in a substrate. Wafer bonding may also be used to bond the substrate to another substrate, such as a CMOS wafer. At least the second wafer bonding may be performed at a low temperature.
(FR) L'invention concerne des transducteurs ultrasonores microfabriqués intégrés avec des substrats semi-conducteurs à oxyde de métal complémentaire (CMOS), ainsi que des procédés de fabrication de tels dispositifs. La fabrication peut impliquer deux étapes séparées de collage de plaquettes. Un collage de plaquettes peut être utilisé pour fabriquer des cavités étanches dans un substrat. Un collage de plaquettes peut également être utilisé pour lier le substrat à un autre substrat, tel qu'une plaquette CMOS. Au moins le second collage de plaquettes peut être effectué à basse température.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)