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1. (WO2018165222) GÉNÉRATION DE RAYONS X À HAUTE ÉNERGIE SANS UTILISATION D'UNE ALIMENTATION ÉLECTRIQUE À HAUTE TENSION
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N° de publication : WO/2018/165222 N° de la demande internationale : PCT/US2018/021236
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 06.03.2018
CIB :
H01J 35/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
35
Tubes à rayons X
02
Détails
04
Electrodes
Déposants :
BECSIS, LLC [US/US]; 2197 Brookwood Drive South Elgin, Illinois 60177, US
Inventeurs :
BORUTA, Nicholas; US
BORUTA, Michael; US
Mandataire :
LOMPREY, Jeffrey R.; US
FLORES, Jessica A.; US
MCPARLAND, James P.; US
MEARA, Joseph P.; US
LAGERWALL, Nicholas M.; US
Données relatives à la priorité :
62/467,56506.03.2017US
Titre (EN) HIGH ENERGY X-RAY GENERATION WITHOUT THE USE OF A HIGH VOLTAGE POWER SUPPLY
(FR) GÉNÉRATION DE RAYONS X À HAUTE ÉNERGIE SANS UTILISATION D'UNE ALIMENTATION ÉLECTRIQUE À HAUTE TENSION
Abrégé :
(EN) A method of generating X-rays includes providing a field-emission diode including two electrodes separated by a gap, a first conductor, a first insulator on a surface of the first conductor, a second insulator on a surface of the first insulator that is not in contact with the first conductor, and a second conductor. The first insulator and the second insulator have trapped electrons at an interface therebetween, and are provided between the first conductor and the second conductor. The method further includes moving the second conductor with respect to the first conductor to induce electrons on the second conductor via electrostatic induction; accelerating the induced electrons across the gap of the field-emission diode; and striking a target with accelerated electrons to produce an X-ray. The first insulator and the second insulator are not the same.
(FR) L'invention concerne un procédé de génération de rayons X comprenant la fourniture d'une diode à émission de champ qui contient deux électrodes séparées par un espace, un premier conducteur, un premier isolant sur une surface du premier conducteur, un deuxième isolant sur une surface du premier isolant qui n'est pas en contact avec le premier conducteur, et un deuxième conducteur. Le premier isolant et le deuxième isolant ont des électrons piégés au niveau d'une interface entre eux, et sont disposés entre le premier conducteur et le deuxième conducteur. Le procédé comprend en outre le déplacement du deuxième conducteur par rapport au premier conducteur afin d'induire des électrons sur le deuxième conducteur par induction électrostatique; l'accélération des électrons induits à travers l'espace de la diode à émission de champ; et la frappe d'une cible avec des électrons accélérés pour produire un rayon X. Le premier isolant et le deuxième isolant ne sont pas identiques.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)