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1. (WO2018165088) STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE TELLE STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY
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N° de publication : WO/2018/165088 N° de la demande internationale : PCT/US2018/021040
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 06.03.2018
CIB :
H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
47
Electrodes à barrière de Schottky
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
Déposants :
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
Inventeurs :
TABATABAIE-ALAVI, Kamal; US
CHENG, Kezia; US
MACDONALD, Christopher, J.; US
Mandataire :
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
BLAU, David, E.; US
Données relatives à la priorité :
15/452,98608.03.2017US
Titre (EN) SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FORMING SUCH SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE TELLE STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY
Abrégé :
(EN) A Schottky contact structure (18) for a semiconductor device (10) having a Schottky contact (20) and an electrode (22) for the contact structure disposed on the contact. The Schottky contact comprises: a first layer (24) of a first metal in Schottky contact with a semiconductor; a second layer (26) of a second metal on the first layer; a third layer (28) of the first metal on the second layer; and a fourth layer (30) of the second metal on the third layer. The electrode for the Schottky contact structure disposed on the Schottky contact comprises a third metal (22), the second metal providing a barrier against migration between the third metal and the first metal.
(FR) L'invention concerne une structure de contact Schottky (18) pour un dispositif semiconducteur (10) comprenant un contact Schottky (20) et une électrode (22) pour la structure de contact disposée sur le contact. Le contact Schottky comprend : une première couche (24) d'un premier métal en contact Schottky avec un semiconducteur ; une deuxième couche (26) d'un deuxième métal sur la première couche ; une troisième couche (28) du premier métal sur la deuxième couche ; et une quatrième couche (30) du deuxième métal sur la troisième couche. L'électrode pour la structure de contact Schottky disposée sur le contact Schottky comprend un troisième métal (22), le deuxième métal réalisant une barrière contre la migration entre le troisième métal et le premier métal.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)