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1. (WO2018164952) PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT DES STRUCTURES LINÉAIRES SENSIBLEMENT ALIGNÉES AVEC D'AUTRES STRUCTURES
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N° de publication : WO/2018/164952 N° de la demande internationale : PCT/US2018/020646
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 02.03.2018
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 525 Boise, Idaho 83707, US
Inventeurs :
SILLS, Scott E.; US
SANDHU, Gurtej S.; US
Mandataire :
FLORES, Jesse M; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
HAMER, Katherine A.; US
BAKER, Gregory C.; US
WATSON, James C.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
SCHIERMAN, Elizabeth Herbst; US
GUTKE, Steven W.; US
BACA, Andrew J.; US
Données relatives à la priorité :
15/452,46707.03.2017US
Titre (EN) METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING LINEAR STRUCTURES SUBSTANTIALLY ALIGNED WITH OTHER STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT DES STRUCTURES LINÉAIRES SENSIBLEMENT ALIGNÉES AVEC D'AUTRES STRUCTURES
Abrégé :
(EN) A method of forming a semiconductor device structure comprises forming a preliminary structure comprising a substrate, a photoresist material over the substrate, and a plurality of structures longitudinally extending through the photoresist material and at least partially into the substrate. The preliminary structure is exposed to electromagnetic radiation directed toward upper surfaces of the photoresist material and the plurality of structures at an angle non-orthogonal to the upper surfaces to form a patterned photoresist material. The patterned photoresist material is developed to selectively remove some regions of the patterned photoresist material relative to other regions of the patterned photoresist material. Linear structures substantially laterally aligned with at least some structures of the plurality of structures are formed using the other regions of the patterned photoresist material. Additional methods of forming a semiconductor device structure are also described.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'une structure de dispositif à semi-conducteurs qui consiste à former une structure préliminaire comprenant un substrat, un matériau de résine photosensible sur le substrat, et une pluralité de structures s'étendant longitudinalement à travers le matériau de résine photosensible et au moins partiellement dans le substrat. La structure préliminaire est exposée à un rayonnement électromagnétique dirigé vers des surfaces supérieures du matériau de résine photosensible et de la pluralité de structures selon un angle non orthogonal aux surfaces supérieures afin de former un matériau de résine photosensible à motifs. Le matériau de résine photosensible à motifs est développé pour éliminer sélectivement certaines régions du matériau de résine photosensible à motifs par rapport à d'autres régions du matériau de résine photosensible à motifs. Des structures linéaires sensiblement alignées latéralement avec au moins certaines structures de la pluralité de structures sont formées à l'aide des autres régions du matériau de résine photosensible à motifs. L'invention concerne également des procédés de formation d'une structure de dispositif à semi-conducteurs.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)