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1. (WO2018164817) DISPOSITIF À GRILLE MOS DE PUISSANCE VERTICALE À PUITS N À FORTE CONCENTRATION EN DOPANT SOUS UN PUITS P ET AVEC ÎLOTS P FLOTTANTS

Pub. No.:    WO/2018/164817    International Application No.:    PCT/US2018/018248
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Feb 15 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/732
H01L 29/10
H01L 29/167
H01L 29/737
H01L 29/739
Applicants: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.
Inventors: ZENG, Jun
DARWISH, Mohamed N.
DU, Wenfang
BLANCHARD, Richard A.
PU, Kui
SU, Shih-Tzung
Title: DISPOSITIF À GRILLE MOS DE PUISSANCE VERTICALE À PUITS N À FORTE CONCENTRATION EN DOPANT SOUS UN PUITS P ET AVEC ÎLOTS P FLOTTANTS
Abstract:
Dans un mode de réalisation, une cellule MOSFET ou IGBT de puissance comprend une région de dérive de type N développée sur le substrat. Une couche de type N, possédant une concentration de dopant plus importante que la région de dérive, est ensuite formée et sur la région de dérive. Un puits P est formé sur la couche de type N, et une région source/émettrice N+ est formée dans le puits P. Une grille est formée sur le canal latéral de puits P et a une extension verticale dans une tranchée. Une tension de grille positive inverse le canal latéral et augmente la conduction verticale dans la couche de type N le long des parois latérales afin de réduire la résistance. Une plaque de champ de blindage vertical est également située dans la tranchée et peut être reliée à la grille. La plaque de champ appauvrit latéralement la couche de type N lorsque le dispositif est éteint pour augmenter la tension de claquage. Des îlots P flottants dans la région de dérive de type N augmentent la tension de claquage et réduisent le courant de saturation.