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1. (WO2018164806) PROCESSUS DE TRAITEMENT DE SURFACE EFFECTUÉ SUR DES DISPOSITIFS POUR DES APPLICATIONS TFT

Pub. No.:    WO/2018/164806    International Application No.:    PCT/US2018/017416
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Feb 09 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/786
H01L 27/12
H01L 27/32
H01L 29/66
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventors: LIM, Rodney Shunleong
YIM, Dong-Kil
Title: PROCESSUS DE TRAITEMENT DE SURFACE EFFECTUÉ SUR DES DISPOSITIFS POUR DES APPLICATIONS TFT
Abstract:
Des modes de réalisation de l'invention concernent de manière générale des procédés de formation de structure de dispositif de transistor à couches minces (TFT) avec une bonne gestion d'interface entre des couches actives d'une couche d'électrode métallique et/ou des couches d'électrode de source/drain et un matériau d'isolation proche de façon à réaliser des dispositifs à haute performance électrique, ou d'autres applications d'affichage appropriées. Dans un mode de réalisation, une structure de transistor à couches minces comprend une région de contact formée entre des régions de source et de drain dopées au fluor disposées sur un substrat, une couche d'isolation de grille disposée sur la région de contact, et une couche d'électrode métallique disposée sur la couche d'isolation de grille.