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1. (WO2018164745) PROCÉDÉS DE MÉMOIRE NON VOLATILE TRIDIMENSIONNELLE
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N° de publication : WO/2018/164745 N° de la demande internationale : PCT/US2017/063724
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 29.11.2017
CIB :
H01L 27/24 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/115 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
112
Structures de mémoires mortes
115
Mémoires mortes programmables électriquement
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
WU, Ming-Che; US
KAMALANATHAN, Deepak; US
SAENZ, Juan; US
KUMAR, Tanmay; US
Mandataire :
MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/452,37307.03.2017US
Titre (EN) METHODS FOR THREE-DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY
(FR) PROCÉDÉS DE MÉMOIRE NON VOLATILE TRIDIMENSIONNELLE
Abrégé :
(EN) A method is provided that includes forming a word line above a substrate, the word line disposed in a first direction, forming a bit line above the substrate, the bit line disposed in a second direction perpendicular to the first direction, forming a nonvolatile memory material between the word line and the bit line, and forming a memory cell including the nonvolatile memory material at an intersection of the bit line and the word line. The word line includes a first portion and a second portion including an electrically conductive carbon-containing material. The nonvolatile memory material includes a semiconductor material layer and a conductive oxide material layer, with the semiconductor material layer disposed adjacent the second portion of the word line.
(FR) L'invention concerne un procédé qui consiste à former une ligne de mots au-dessus d'un substrat, la ligne de mots étant disposée dans une première direction, à former une ligne de bits au-dessus du substrat, la ligne de bits étant disposée dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction, à former un matériau de mémoire non volatile entre la ligne de mots et la ligne de bits, et à former une cellule de mémoire comprenant le matériau de mémoire non volatile au niveau d'une intersection de la ligne de bits et de la ligne de mots. La ligne de mots comprend une première partie et une seconde partie comprenant un matériau contenant du carbone électroconducteur. Le matériau de mémoire non volatile comprend une couche de matériau semiconducteur et une couche de matériau d'oxyde conducteur, la couche de matériau semiconducteur étant disposée adjacente à la seconde partie de la ligne de mots.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)