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1. (WO2018164742) DISPOSITIF MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À STRUCTURES D'ESCALIER À DÉCALAGE DE NIVEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/164742    International Application No.:    PCT/US2017/063075
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 23 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/11548
H01L 27/11556
H01L 27/11575
H01L 27/11582
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: NORIZUKI, Naoto
OKIZUMI, Yasuchika
MADA, Shogo
OGAWA, Hiroyuki
Title: DISPOSITIF MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À STRUCTURES D'ESCALIER À DÉCALAGE DE NIVEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne une structure mesa formée sur un substrat. Un empilement alterné de couches d'isolation et de couches de matériau d'espacement ayant une hauteur totale d'environ le double de la hauteur de la structure mesa est formé sur le substrat et la structure mesa. Les couches de matériau d'espacement sont formées comme des couches électroconductrices, ou sont remplacées par des couches électroconductrices. Des parties de l'empilement alterné sont retirées de la structure mesa au-dessus de la structure mesa par un processus de planarisation. Des surfaces étagées peuvent être formées simultanément dans une première région de terrasse recouvrant la structure mesa et dans une seconde région de terrasse située au niveau d'un côté opposé d'une région de matrice de mémoire de l'empilement alterné. Une paire de surfaces étagées à décalage de niveau est formée. Les contacts de l'empilement alterné peuvent atteindre uniquement la surface la plus basse de la paire de surfaces étagées à décalage de niveau, et peuvent être plus courts que l'empilement alterné.