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1. (WO2018164576) FORMATION DE MOTIFS SANS MASQUE DE COUCHES DE SILICIUM AMORPHE POUR CELLULES SOLAIRES À CONTACT ARRIÈRE INTERDIGITÉ À HÉTÉROJONCTION DE SILICIUM À FAIBLE COÛT
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N° de publication : WO/2018/164576 N° de la demande internationale : PCT/NL2018/050140
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 08.03.2018
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
20
les dispositifs ou leurs parties constitutives comprenant un matériau semi-conducteur amorphe
Déposants :
TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT [NL/NL]; Stevinweg 1 2628 CN Delft, NL
Inventeurs :
YANG, Guangtao; NL
ZHOU, Jia Li; NL
ISABELLA, Olindo; NL
ZEMAN, Miroslav; NL
Mandataire :
VOGELS, Leonard Johan Paul; Weteringschans 96 1017 XS Amsterdam, NL
Données relatives à la priorité :
201849109.03.2017NL
Titre (EN) MASK-LESS PATTERNING OF AMORPHOUS SILICON LAYERS FOR LOW-COST SILICON HETERO-JUNCTION INTERDIGITATED BACK-CONTACT SOLAR CELLS
(FR) FORMATION DE MOTIFS SANS MASQUE DE COUCHES DE SILICIUM AMORPHE POUR CELLULES SOLAIRES À CONTACT ARRIÈRE INTERDIGITÉ À HÉTÉROJONCTION DE SILICIUM À FAIBLE COÛT
Abrégé :
(EN) The present invention is in the field of a method for mask-less patterning of amorphous silicon layers, such as for low-cost silicon hetero-junction interdigitated back-contact solar cells, solar-cells and PV-panels obtainable by said method, in particular Silicon-Heterojunction (SHJ) interdigitated back-contacted (IBC) solar cells.
(FR) La présente invention concerne le domaine d'un procédé de formation de motifs sans masque de couches de silicium amorphe, par exemple pour des cellules solaires à contact arrière interdigité à hétérojonction de silicium à faible coût, des cellules solaires et des panneaux PV pouvant être obtenus par ledit procédé, en particulier des cellules solaires à contact arrière interdigité (IBC) à hétérojonction de silicium (SHJ).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)