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1. (WO2018164386) NOUVEAU SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON UTILISATION
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N° de publication : WO/2018/164386 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/001828
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 12.02.2018
CIB :
H01L 35/16 (2006.01) ,C01G 51/00 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01) ,H01L 31/0272 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14
utilisant des compositions inorganiques
16
comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
51
Composés du cobalt
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
34
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0272
Sélénium ou tellure
Déposants :
주식회사 엘지화학 LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul 07336, KR
Inventeurs :
고경문 KO, Kyung Moon; KR
박철희 PARK, Cheol Hee; KR
김민경 KIM, Min Kyoung; KR
정명진 JUNG, Myung Jin; KR
박치성 PARK, Chee Sung; KR
Mandataire :
유미 특허법인 YOU ME PATENT AND LAW FIRM; 서울시 강남구 테헤란로 115 115 Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 06134, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-003017409.03.2017KR
Titre (EN) NOVEL COMPOUND SEMICONDUCTOR AND UTILIZATION THEREOF
(FR) NOUVEAU SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON UTILISATION
(KO) 신규한 화합물 반도체 및 그 활용
Abrégé :
(EN) The present invention provides a novel compound semiconductor material, represented by the following Chemical Formula 1, which can be used in thermoelectric materials, solar cells, and the like, a preparation method therefor, and a thermoelectric conversion device or solar cell utilizing the same. [Chemical Formula 1] NdxSyCo4Sb12-zQz wherein, Q is at least one selected from the group consisting of O, Se, and Te, with the condition of 0
(FR) La présente invention concerne un nouveau matériau semi-conducteur composé, représenté par la formule chimique 1 suivante, qui peut être utilisé dans des matériaux thermoélectriques, des cellules solaires et similaires, son procédé de préparation, et un dispositif de conversion thermoélectrique ou une cellule solaire l'utilisant. [Formule chimique 1] NdxSyCo4Sb12-zQz dans laquelle Q est au moins un élément choisi dans le groupe constitué par O, Se et Te, à condition que 0 < x < 0,2, 0 < y ≤ 1 et 0 < z < 12.
(KO) 본 발명은 다음과 같은 화학식 1로 표시되며, 열전 재료, 태양 전지 등의 용도로 활용될 수 있는 신규한 화합물 반도체 물질과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 열전 변환 소자나 태양 전지 등을 제공한다. [화학식 1] NdxSyCo4Sb12-zQz 상기 화학식 1에서, Q는 O, Se 및 Te로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고, 0
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)