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1. (WO2018164366) STRUCTURE DE BLINDAGE CONTRE LES ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/164366 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/000449
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 10.01.2018
CIB :
H05K 9/00 (2006.01) ,H05K 3/28 (2006.01) ,C08L 101/12 (2006.01) ,C08K 3/04 (2006.01) ,C08K 3/08 (2006.01) ,C08K 9/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
9
Blindage d'appareils ou de composants contre les champs électriques ou magnétiques
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
22
Traitement secondaire des circuits imprimés
28
Application de revêtements de protection non métalliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
101
Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés
12
caractérisées par des propriétés physiques, p.ex. anisotropie, viscosité ou conductivité électrique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
3
Emploi d'ingrédients inorganiques
02
Eléments
04
Carbone
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
3
Emploi d'ingrédients inorganiques
02
Eléments
08
Métaux
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
9
Emploi d'ingrédients prétraités
02
Ingrédients traités par des substances inorganiques
Déposants :
삼성전자 주식회사 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 수원시 영통구 삼성로 129 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677, KR
Inventeurs :
정진우 JUNG, Jin-woo; KR
한은봉 HAN, Eun-bong; KR
국건 KUK, Keon; KR
김경일 KIM, Kyong-il; KR
문일주 MOON, Il-ju; KR
나인학 NA, In-hak; KR
Mandataire :
김태헌 KIM, Tae-hun; KR
정홍식 JEONG, Hong-sik; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-002827006.03.2017KR
Titre (EN) ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE BLINDAGE CONTRE LES ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 전자파 차폐구조 및 그 제조방법
Abrégé :
(EN) An electromagnetic wave shielding structure and a manufacturing method therefor are disclosed. The disclosed electromagnetic wave shielding structure comprises: a shielding dam for encompassing at least one circuit element on a printed circuit board; an insulating layer for covering the at least one circuit element; and a shielding layer for covering the shielding dam and the insulating layer, wherein: the insulating layer includes a first layer having a first thickness in a downward direction from the surface thereof during a pre-hardening treatment, and a second layer formed under the first surface to have a thickness greater than the first thickness; and a boundary is formed between the first and second layers by a complete hardening treatment carried out after the pre-hardening treatment.
(FR) L'invention concerne une structure de blindage contre les ondes électromagnétiques et son procédé de fabrication. La structure de blindage contre les ondes électromagnétiques selon l'invention comprend : un barrage de blindage destiné à englober au moins un élément de circuit sur une carte à circuit imprimé ; une couche isolante destinée à recouvrir l'au moins un élément de circuit ; et une couche de blindage destinée à recouvrir le barrage de blindage et la couche isolante. La couche isolante comprend une première couche ayant une première épaisseur dans une direction vers le bas à partir de sa surface pendant un traitement de pré-durcissement, et une deuxième couche formée sous la première surface de manière à présenter une épaisseur supérieure à la première épaisseur. Une limite est formée entre les première et deuxième couches par un traitement de durcissement complet effectué après le traitement de pré-durcissement.
(KO) 전자파 차폐구조 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전자파 차폐구조는 인쇄회로기판 상의 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸는 차폐 댐; 상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮는 절연 층; 및 상기 차폐 댐 및 상기 절연 층을 덮는 차폐 층;을 포함하며, 상기 절연 층은 가경화 처리 시 표면으로부터 하 방향으로 제1 두께를 갖는 제1 층과 상기 제1 층 밑에 상기 제1 두께 보다 더 큰 두께로 형성된 제2 층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 층 사이에는 상기 가경화 처리 후에 이루어지는 완전경화 처리에 의해 경계가 형성되는 것을 특징으로 한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)