Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018164267) COMPOSITION DE FORMATION DE PELLICULE DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PELLICULE DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT À MOTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/164267 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/009257
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 09.03.2018
CIB :
G03F 7/11 (2006.01) ,C08G 8/20 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
8
Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols
04
d'aldéhydes
08
de formaldéhyde, p.ex. de formaldéhyde formé in situ
20
avec des phénols polyhydriques
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
野坂 直矢 NOSAKA Naoya; JP
若松 剛史 WAKAMATSU Goji; JP
阿部 翼 ABE Tsubasa; JP
三浦 一裕 MIURA Ichihiro; JP
江原 健悟 EHARA Kengo; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
中川 大樹 NAKAGAWA Hiroki; JP
Mandataire :
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04609210.03.2017JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PATTERNED SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE PELLICULE DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PELLICULE DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT À MOTIFS
(JA) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a composition for forming a resist underlayer film, which is capable of forming a resist underlayer film that has excellent flatness, while exhibiting excellent solvent resistance, heat resistance and etching resistance. The present invention is a composition for forming a resist underlayer film, which contains a compound that has a partial structure represented by formula (1) and a solvent. In formula (1), X represents a group represented by formula (i), (ii), (iii) or (iv). In formula (i), each of R1 and R2 independently represents a hydrogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7-20 carbon atoms, or R1 and R2 are combined with each other to form a part of a ring structure having 3-20 ring members, said ring structure being formed together with carbon atoms to which the R1 and R2 moieties are bonded, excluding the cases where the R1 and R2 moieties are hydrogen atoms, hydroxy groups or a combination of a hydrogen atom and a hydroxy group.
(FR) L’objet de la présente invention est de fournir une composition de formation d’une pellicule de sous-couche de résine photosensible, laquelle est susceptible de former une pellicule de sous-couche de résine photosensible dont la planarité est excellente et dont la résistance aux solvants, la résistance à la chaleur et la résistance à la gravure sont excellentes. La présente invention concerne une composition pour former un film de sous-couche de résine photosensible, qui contient un composé qui a une structure partielle représentée par la formule (1) et un solvant. Dans la formule (1), X représente un groupe représenté par la formule (i), (ii), (iii) ou (iv). Dans la formule (i), chacun de R1 et R2 représente indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe hydroxy, un groupe hydrocarboné aliphatique monovalent substitué ou non substitué ayant de 1 à 20 atomes de carbone ou un groupe aralkyle substitué ou non substitué ayant de 7 à 20 atomes de carbone, ou R1 et R2 sont combinés l'un à l'autre pour former une partie d'une structure cyclique ayant 3 à 20 éléments de cycle, ladite structure cyclique étant formée conjointement avec des atomes de carbone auxquels sont liées les fractions R1 et R2, à l'exclusion des cas où les fractions R1 et R2 représentent des atomes d'hydrogène, des groupes hydroxy ou une combinaison d'un atome d'hydrogène et d'un groupe hydroxy.
(JA) 平坦性に優れると共に溶媒耐性、耐熱性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Xは、下記式(i)、(ii)、(iii)又は(iv)で表される基である。下記式(i)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、置換若しくは非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは非置換の炭素数7~20のアラルキル基であるか、又はRとRとが互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3~20の環構造の一部を表す。但し、R及びRが、水素原子、ヒドロキシ基又はこれらの組み合わせである場合を除く。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)