Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018164210) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION

Pub. No.:    WO/2018/164210    International Application No.:    PCT/JP2018/008913
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018
IPC: H03H 9/25
H03H 9/145
H03H 9/64
H03H 9/72
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
株式会社村田製作所
Inventors: NAKAGAWA, Ryo
中川 亮
IWAMOTO, Hideki
岩本 英樹
TAKAI, Tsutomu
▲高▼井 努
Title: DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques qui n'est pas susceptible de générer des ondulations dans d'autres filtres à ondes acoustiques en raison de modes d'ordre supérieur. Un film d'oxyde de silicium 3, un corps piézoélectrique 4 formé à partir de tantalate de lithium et une électrode IDT 5 sont empilés sur un substrat de support 2 en silicium. Les valeurs de l'épaisseur TLT de film normalisé en longueur d'onde du corps piézoélectrique formé à partir de tantalate de lithium, de l'angle d'Euler θLT, de l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TS du film d'oxyde de silicium 3, de l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TE de l'électrode IDT 5 convertie en épaisseur d'aluminium, de l'orientation de propagation ψSi du substrat de support 2, et de l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TSi du substrat de support 2 sont telles que TSi > 20, et TLT, θLT, TS, TE et ψSi sont définis de telle sorte qu'Ih, qui correspond à l'intensité d'une réponse de mode d'ordre supérieur représentée par l'expression (1), soit supérieure ou égale à -2,4 pour au moins une réponse des réponses d'un premier, d'un deuxième et d'un troisième mode d'ordre supérieur.