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1. (WO2018163944) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES

Pub. No.:    WO/2018/163944    International Application No.:    PCT/JP2018/007668
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/786
G02F 1/1343
G02F 1/1368
H01L 21/336
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: FURUKAWA, Hiroaki
古川 博章
Title: DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur capable d'assurer un niveau élevé de fiabilité tout en réalisant une définition plus élevée. Ce dispositif à semiconducteur comprend un substrat et un transistor à couches minces supporté par le substrat, le transistor à couches minces comprenant : une première section conductrice formée sur le substrat; une première couche d'isolation; une couche semiconductrice d'oxyde; une seconde section conductrice qui entre en contact avec une région de contact de source de la couche semiconductrice d'oxyde; une seconde couche d'isolation comprend un trou de contact pour exposer une région de contact de drain de la couche semiconductrice d'oxyde; et une électrode transparente en contact avec la région de contact de drain au niveau du trou de contact; et lorsqu'elle est vue depuis la direction normale du substrat, un bord externe de la région de contact de drain chevauche une partie d'un bord externe de la première section conductrice, ou est disposé davantage vers l'intérieur que le bord externe de la première section conductrice.