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1. (WO2018163850) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SURFACE ENVERS DE TRANCHE ÉPITAXIALE, DISPOSITIF D'INSPECTION DE SURFACE ENVERS DE TRANCHE ÉPITAXIALE, PROCÉDÉ DE GESTION DE BROCHE DE SOULÈVEMENT DE DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE
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N° de publication : WO/2018/163850 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/006517
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 22.02.2018
CIB :
G01N 21/956 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956
Inspection de motifs sur la surface d'objets
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
Inventeurs :
松尾 圭子 MATSUO Keiko; JP
和田 直之 WADA Naoyuki; JP
江頭 雅彦 EGASHIRA Masahiko; JP
Mandataire :
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04389208.03.2017JP
Titre (EN) EPITAXIAL WAFER REVERSE SURFACE INSPECTING METHOD, EPITAXIAL WAFER REVERSE SURFACE INSPECTING DEVICE, EPITAXIAL GROWTH DEVICE LIFT PIN MANAGEMENT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SURFACE ENVERS DE TRANCHE ÉPITAXIALE, DISPOSITIF D'INSPECTION DE SURFACE ENVERS DE TRANCHE ÉPITAXIALE, PROCÉDÉ DE GESTION DE BROCHE DE SOULÈVEMENT DE DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハ裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is an epitaxial wafer reverse surface inspecting method capable of detecting a pin mark defect on a reverse surface of an epitaxial wafer, and capable of quantitatively evaluating a defect size of each point-like defect in the pin mark defect. This epitaxial wafer reverse surface inspecting method includes: an imaging step S10 of continuously capturing partial images of an epitaxial wafer reverse surface while causing an optical system to scan by means of a scanning unit; an acquiring step S20 of acquiring an overall image of the reverse surface from the partial images; a detecting step S30 of detecting, from the overall image, a pin mark defect comprising a group formed by a plurality of point-like defects existing on the reverse surface; and a quantifying process step S40 of subjecting each point-like defect in the detected pin mark defect to a quantifying process to calculate a defect area of each point-like defect.
(FR) L'invention concerne un procédé d'inspection de surface envers de tranche épitaxiale apte à détecter un défaut de type marque d'épingle sur une surface envers d'une tranche épitaxiale, et apte à évaluer quantitativement la taille de défaut de chaque défaut analogue à un point dans le défaut type marque d'épingle. Ledit procédé d'inspection de surface envers de tranche épitaxiale comprend : une étape d'imagerie (S10) consistant à capturer en continu des images partielles d'une surface envers de tranche épitaxiale tout en amenant un système optique à effectuer un balayage au moyen d'une unité de balayage; une étape d'acquisition (S20) consistant à acquérir une image globale de la surface envers à partir des images partielles; une étape de détection (S30) consistant à détecter, à partir de l'image globale, un défaut de type marque d'épingle comprenant un groupe formé par une pluralité de défauts de type point existant sur la surface envers; et une étape de traitement de quantification (S40) consistant à soumettre chaque défaut de type point dans le défaut de type marque d'épingle détecté à un processus de quantification afin de calculer une aire de défaut de chaque défaut de type point.
(JA) エピタキシャルウェーハ裏面のピンマーク欠陥を検出し、かつ、当該ピンマーク欠陥のそれぞれの点状欠陥の欠陥サイズを定量的に評価することのできるエピタキシャルウェーハ裏面検査方法を提供する。本発明によるエピタキシャルウェーハ裏面の検査方法は、光学系を走査部により走査しつつ、エピタキシャルウェーハ裏面のパーツ画像を連続的に撮影する撮影工程S10と、前記パーツ画像から、前記裏面の全体画像を取得する取得工程S20と、前記全体画像から、前記裏面に存在する複数の点状欠陥のなす組からなるピンマーク欠陥を検出する検出工程S30と、前記検出した前記ピンマーク欠陥のそれぞれの点状欠陥を数値化処理して、前記それぞれの点状欠陥の欠陥面積を算出する数値化処理工程S40と、を含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)