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1. (WO2018163838) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/163838 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/006415
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 22.02.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
UCHIDA Tetsuya; JP
SUZUKI Ryoji; JP
ANSAI Hisahiro; JP
UEDA Yoichi; JP
YOSHIDA Shinichi; JP
TAKEYA Yukari; JP
HIRANO Tomoyuki; JP
MORI Hiroyuki; JP
NOMURA Hirotoshi; JP
KUDOH Yoshiharu; JP
OHURA Masashi; JP
IWABUCHI Shin; JP
Mandataire :
NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04381008.03.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) There is provided a imaging device including: an N-type region formed for each pixel and configured to perform photoelectric conversion; an inter-pixel light-shielding wall penetrating a semiconductor substrate in a depth direction and formed between N-type regions configured to perform the photoelectric conversion, the N-type regions each being formed for each of pixels adjacent to each other; a P-type layer formed between the N-type region configured to perform the photoelectric conversion and the inter-pixel light-shielding wall; and a P-type region adjacent to the P-type layer and formed between the N-type region and an interface on a side of a light incident surface of the semiconductor substrate.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie comprenant : une région de type N formée pour chaque pixel et conçue pour effectuer une conversion photoélectrique; une paroi de protection contre la lumière entre les pixels pénétrant dans un substrat semi-conducteur dans une direction de profondeur et formée entre des régions de type N conçues pour effectuer la conversion photoélectrique, les régions de type N étant formées chacune pour chacun des pixels adjacents les uns aux autres; une couche de type P formée entre la région de type N conçue pour effectuer la conversion photoélectrique et la paroi de protection contre la lumière entre les pixels; et une région de type P adjacente à la couche de type P et formée entre la région de type N et une interface sur un côté d'une surface d'incidence de lumière du substrat semi-conducteur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)