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1. (WO2018163752) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE
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N° de publication : WO/2018/163752 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005366
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 16.02.2018
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 27/06 (2006.01) ,B28D 5/02 (2006.01) ,B28D 5/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
27
Autres machines ou dispositifs à meuler
06
Machines à couper par meulage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
28
TRAVAIL DU CIMENT, DE L'ARGILE OU DE LA PIERRE
D
TRAVAIL DE LA PIERRE OU DES MATÉRIAUX SEMBLABLES À LA PIERRE
5
Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
02
par outils rotatifs, p.ex. par forets
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
28
TRAVAIL DU CIMENT, DE L'ARGILE OU DE LA PIERRE
D
TRAVAIL DE LA PIERRE OU DES MATÉRIAUX SEMBLABLES À LA PIERRE
5
Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
04
par outils autres que ceux du type rotatif, p.ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
Déposants :
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
北川 幸司 KITAGAWA Koji; JP
佐藤 三千登 SATO Michito; JP
Mandataire :
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04201006.03.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE
(JA) ウェーハの製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for manufacturing a wafer by cutting a semiconductor single crystal ingot, the method being characterized in that: wafer-shaped workpieces are obtained by slicing the semiconductor single crystal ingot using a wire saw, and then a plurality of wafers are obtained from each of the wafer-shaped workpieces by dividing the wafer-shaped workpieces in the thickness direction using a laser. Therefore, a method for manufacturing a wafer is provided, wherein costs due to kerf loss can be reduced without a significant decrease in productivity in a method for cutting semiconductor single crystal ingots, such as silicon ingots or compound semiconductor ingots, into wafer shapes.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche par découpe d'un lingot monocristallin semi-conducteur, le procédé étant caractérisé en ce que : des pièces en forme de tranche sont obtenues par tranchage du lingot monocristallin semi-conducteur à l'aide d'une scie à fil, puis une pluralité de tranches sont obtenues à partir de chacune des pièces en forme de tranche en divisant les pièces en forme de tranche dans la direction de l'épaisseur à l'aide d'un laser. Par conséquent, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche, des coûts dus à une perte de coupe pouvant être réduits sans diminution significative de la productivité dans un procédé de découpe de lingots monocristallins semi-conducteurs, tels que des lingots de silicium ou des lingots de semi-conducteur composé, en formes de tranche.
(JA) 本発明は、半導体単結晶インゴットを切断することでウェーハを製造する方法であって、ワイヤソーを用いて半導体単結晶インゴットをスライスすることでウェーハ状のワークを得た後に、レーザーを用いてウェーハ状のワークを厚さ方向に分割することで、それぞれのウェーハ状のワークから複数のウェーハを得ることを特徴とするウェーハの製造方法である。これにより、シリコンインゴットや化合物半導体インゴット等の半導体単結晶インゴットをウェーハ状に切断する方法において、生産性を大きく落とすことなく、カーフ代を削減可能なウェーハの製造方法が提供される。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)