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1. (WO2018163732) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/163732 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005052
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 14.02.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/359 (2011.01) ,H04N 5/3745 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
357
Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
359
appliqué aux porteurs de charge en excès générés par l'exposition, p.ex. bavure, tache, image fantôme, diaphonie ou fuite entre les pixels
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745
ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
吉田 遼人 YOSHITA, Ryoto; JP
町田 貴志 MACHIDA, Takashi; JP
熊谷 至通 KUMAGAI, Yoshimichi; JP
Mandataire :
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2017-04196406.03.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a solid-state imaging device that is provided with: a semiconductor substrate having a light incidence surface; a photoelectric conversion unit which is provided for each pixel on the light incidence surface side in the semiconductor substrate; a charge storage unit which is provided for each pixel on the side opposite to the light incidence surface away from the photoelectric conversion unit in the semiconductor substrate; a first transfer transistor which transfers a signal charge accumulated in the photoelectric conversion unit to the charge storage unit; a wiring layer which is disposed at the side opposite to the light incidence surface of the semiconductor substrate; a first vertical electrode and a second vertical electrode that extend from the surface opposite to the light incidence surface of the semiconductor substrate up to the photoelectric conversion unit; a first light blocking film which is disposed in at least a portion of the area surrounding the photoelectric conversion unit in such a manner as to be oriented in the thickness direction of the semiconductor substrate; and a second light blocking film which is disposed between the photoelectric conversion unit and the charge storage unit in such a manner as to be oriented in the surface direction of the semiconductor substrate, wherein the first and second vertical electrodes are adjacently arranged so as to be separated from each other by a distance equal to a half of the length of one edge of the pixel.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semiconducteur qui comporte : un substrat semiconducteur ayant une surface d'incidence de lumière; une unité de conversion photoélectrique qui est disposée pour chaque pixel sur le côté de surface d'incidence de lumière dans le substrat semiconducteur; une unité de stockage de charge qui est disposée pour chaque pixel sur le côté opposé à la surface d'incidence de lumière à l'opposé de l'unité de conversion photoélectrique dans le substrat semiconducteur; un premier transistor de transfert qui transfère une charge de signal accumulée dans l'unité de conversion photoélectrique à l'unité de stockage de charge; une couche de câblage qui est disposée sur le côté opposé à la surface d'incidence de lumière du substrat semiconducteur; une première électrode verticale et une seconde électrode verticale qui s'étendent depuis la surface opposée à la surface d'incidence de lumière du substrat semiconducteur jusqu'à l'unité de conversion photoélectrique; un premier film de blocage de lumière qui est disposé dans au moins une partie de la zone entourant l'unité de conversion photoélectrique de manière à être orienté dans la direction de l'épaisseur du substrat semiconducteur; et un second film de blocage de lumière qui est disposé entre l'unité de conversion photoélectrique et l'unité de stockage de charge de manière à être orienté dans la direction de surface du substrat semiconducteur, les première et seconde électrodes verticales étant agencées de manière adjacente de manière à être séparées l'une de l'autre d'une distance égale à une moitié de la longueur d'un bord du pixel.
(JA) 光入射面を有する半導体基板と、前記半導体基板内の前記光入射面側に、画素毎に設けられた光電変換部と、前記半導体基板内の前記光電変換部より前記光入射面と反対側に、前記画素毎に設けられた電荷蓄積部と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を前記電荷蓄積部に転送する第1転送トランジスタと、前記半導体基板の前記光入射面と反対面側に設けられた配線層と、前記半導体基板の前記光入射面と反対面から前記光電変換部に延在する、第1縦型電極および第2縦型電極と、前記光電変換部の周囲の少なくとも一部に、前記半導体基板の厚み方向に設けられた第1遮光膜と、前記光電変換部と前記電荷蓄積部との間に、前記半導体基板の面方向に設けられた第2遮光膜とを備え、前記第1縦型電極と前記第2縦型電極は、前記画素の一辺の長さの半分以下の距離に隣接して配置されている固体撮像装置。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)