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1. (WO2018163726) PROCÉDÉ DE MESURE DE CONCENTRATION DE CARBONE DANS DU SILICIUM MONOCRISTALLIN
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N° de publication : WO/2018/163726 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/004987
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 14.02.2018
CIB :
C30B 29/06 (2006.01) ,G01N 21/62 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
62
Systèmes dans lesquels le matériau analysé est excité de façon à ce qu'il émette de la lumière ou qu'il produise un changement de la longueur d'onde de la lumière incidente
Déposants :
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
高野 清隆 TAKANO Kiyotaka; JP
高沢 雅紀 TAKAZAWA Masanori; JP
Mandataire :
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04206706.03.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MEASURING CARBON CONCENTRATION IN MONOCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE CONCENTRATION DE CARBONE DANS DU SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法
Abrégé :
(EN) Provided is a method for measuring the carbon concentration of a silicon monocrystal which is pulled up by the Czochralski process from a silicon melt to which a horizontal magnetic field is applied. This method for measuring the carbon concentration of a monocrystalline silicon is characterized in that: a test sample is cut out from a region with an oxygen concentration of 5 ppma-JEIDA or less in a tail portion of the silicon monocrystal and measured for carbon concentration by low-temperature PL spectroscopy to achieve a lower limit of carbon concentration measurement of 5 × 1014 atoms/cm3 or less; and the carbon concentration of a straight body of the silicon monocrystal is calculated. Accordingly, the method for measuring the carbon concentration of a monocrystalline silicon is able to measure low concentrations of carbon which are too low to be measured by FT-IR even when a product section of the silicon monocrystal has an oxygen concentration of more than 5 ppma-JEIDA.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure de la concentration en carbone d'un monocristal de silicium qui est tiré par le procédé de Czochralski à partir d'une masse fondue de silicium à laquelle un champ magnétique horizontal est appliqué. Ce procédé de mesure de la concentration en carbone d'un silicium monocristallin est caractérisé en ce que : un échantillon d’essai est découpé dans une région ayant une concentration en oxygène de 5 ppma-JEIDA ou moins dans une partie de queue du monocristal de silicium et mesuré pour déterminer la concentration en carbone par une spectroscopie PL à basse température pour obtenir une limite inférieure de mesure de concentration de carbone de 5 × 1014 atoms/cm3 ; et la concentration en carbone d'un corps droit du monocristal de silicium est calculée. En conséquence, le procédé de mesure de la concentration en carbone d'un silicium monocristallin permet de mesurer de faibles concentrations de carbone qui sont trop faibles à mesurer par FT-IR même lorsqu'une section de produit du monocristal de silicium présente une concentration en oxygène supérieure à 5 ppma-JEIDA.
(JA) 本発明は、水平磁場を印加したシリコン融液からチョクラルスキー法によって引上げられたシリコン単結晶の炭素濃度の測定方法であって、酸素濃度が5ppma-JEIDA以下となる前記シリコン単結晶の丸め部の領域から検査サンプルを切り出し、低温PL測定によって前記検査サンプルの炭素濃度を測定することで、炭素濃度の測定下限値を5×1014atoms/cm以下とし、前記シリコン単結晶の直胴中の炭素濃度の算出を行うことを特徴とする単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法である。これにより、製品部の酸素濃度が5ppma-JEIDAを超えるシリコン単結晶であっても、FT-IRでは測定できない低濃度の炭素濃度を測定できる単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法が提供される。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)