Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018163720) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/163720 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/004795
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 13.02.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
古閑 史彦 KOGA, Fumihiko; JP
Mandataire :
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2017-04568710.03.2017JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子および撮像装置
Abrégé :
(EN) An imaging element according to one embodiment of the present disclosure is provided with: a photoelectric conversion layer; a first electrode which collects negative signal charges that are generated in the photoelectric conversion layer; and a second electrode which collects positive signal charges that are generated in the photoelectric conversion layer. The first electrode and the second electrode are provided on a surface of the photoelectric conversion layer, said surface being on the reverse side of the light incident surface.
(FR) Un élément d'imagerie selon un mode de réalisation de la présente invention comporte : une couche de conversion photoélectrique ; une première électrode qui collecte des charges de signal négatives qui sont générées dans la couche de conversion photoélectrique ; et une seconde électrode qui collecte des charges de signal positives qui sont générées dans la couche de conversion photoélectrique. La première électrode et la seconde électrode sont disposées sur une surface de la couche de conversion photoélectrique, ladite surface se trouvant sur le côté opposé de la surface d'incidence de lumière.
(JA) 本開示の一実施形態の撮像素子は、光電変換層と、光電変換層において発生する負の信号電荷を収集する第1電極と、光電変換層において発生する正の信号電荷を収集する第2電極とを備え、第1電極および第2電極は、それぞれ、光電変換層の光入射面とは反対側に設けられている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)