Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018163650) COMPOSITION D'AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/163650 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/002522
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 26.01.2018
CIB :
H01L 21/308 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308
en utilisant des masques
Déposants :
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Inventeurs :
大宮 大輔 OMIYA Daisuke; JP
Mandataire :
近藤 利英子 KONDO Rieko; JP
菅野 重慶 SUGANO Shigeyoshi; JP
岡田 薫 OKADA Kaoru; JP
竹山 圭太 TAKEYAMA Keita; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04646910.03.2017JP
Titre (EN) ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD
(FR) COMPOSITION D'AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング液組成物及びエッチング方法
Abrégé :
(EN) Provided is an etchant composition useful for etching indium oxide-based layers, said etchant composition being free from hydrogen chloride but yet causing little width thinning by etching, showing good linearity and being capable of forming a thin wire with a desired width. The etchant composition, which is to be used for etching indium oxide-based layers, comprises: (A) 0.01-15 mass% of hydrogen peroxide; (B) 1-40 mass% of sulfuric acid; (C) 0.01-10 mass% of an amide compound represented by general formula (1) [wherein R1, R2 and R3 represent hydrogen, an alkyl group having 1-8 carbon atoms, etc.]; (D) 0.00001-0.1 mass% of a halide ion source (excluding a fluoride ion source); (E) 0.001-1 mass% of a fluoride ion source; and water.
(FR) L'invention concerne une composition d'agent d'attaque chimique servant à graver des couches à base d'oxyde d'indium, ladite composition d'agent d'attaque chimique est exempte de chlorure d'hydrogène mais provoque cependant un faible amincissement de la largeur au moyen de la gravure. La composition d'agent d'attaque chimique présente une bonne linéarité et peut former un fil mince comportant une largeur souhaitée. La composition d'agent d'attaque chimique, qui doit être utilisée pour graver des couches à base d'oxyde d'indium, comprend : (A) 0,01 à 15 % en masse de peroxyde d'hydrogène ; (B) 1 à 40 % en masse d'acide sulfurique ; (C) 0,01 à 10 % en masse d'un composé amide représenté par la formule générale (1) [R1, R2 et R3 représentent l'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone, etc.] ; (D) 0,00001 à 0,1 % en masse d'une source d'ions halogénures (hors source d'ions fluorures) ; (E) 0,001 à 1 % en masse d'une source d'ions fluorures ; et de l'eau.
(JA) 塩化水素を含有しなくとも、エッチングによる細り幅が少なく、直線性が良好であるとともに所望の幅を有する細線を形成することが可能な、酸化インジウム系層のエッチングに有用なエッチング液組成物を提供する。酸化インジウム系層をエッチングするためのエッチング液組成物である。(A)過酸化水素0.01~15質量%;(B)硫酸1~40質量%;(C)下記一般式(1)(R1、R2、及びR3:水素、炭素原子数1~8のアルキル基等)で表されるアミド化合物0.01~10質量%;(D)ハロゲン化物イオン供給源(但し、フッ化物イオン供給源を除く)0.00001~0.1質量%;(E)フッ化物イオン供給源0.001~1質量%;及び水を含有する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)