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1. (WO2018163624) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/163624    International Application No.:    PCT/JP2018/001883
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Jan 24 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/336
H01L 21/66
H01L 21/822
H01L 21/8234
H01L 27/04
H01L 27/06
H01L 29/739
H01L 29/78
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: YONEDA Shuji
米田 秀司
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur (11) qui est une couche de dérive (12) ; une couche de base (13) ; une pluralité de tranchées (14) ; une région d'émetteur (15) ; une électrode d'émetteur (20) ; une couche de collecteur (30) ; une électrode de collecteur (31) ; une électrode de grille principale (18a) qui génère une couche d'inversion et une électrode de grille factice (18b) qui ne génère pas la couche d'inversion ; un plot de grille partagé (21a) ; un premier élément (24, 33) qui est formé entre l'électrode de grille factice et le plot de grille, et qui bloque ou limite la continuité électrique lorsqu'une première tension est appliquée, et qui permet une continuité électrique lorsqu'une deuxième tension ayant une polarité inversée est appliquée ; et un deuxième élément (25, 34) qui est formé entre l'électrode d'émetteur et un point de contact entre l'électrode de grille factice et le premier élément, et qui permet une continuité électrique lorsque la première tension est appliquée, et bloque ou limite la continuité électrique lorsque la deuxième tension est appliquée.