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1. (WO2018163593) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM, DISPOSITIF DE CONVERSION ÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE CONVERSION ÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/163593 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/000406
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 11.01.2018
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
足立 亘平 ADACHI Kohei; JP
菅原 勝俊 SUGAWARA Katsutoshi; JP
福井 裕 FUKUI Yutaka; JP
八田 英之 HATTA Hideyuki; JP
田中 梨菜 TANAKA Rina; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04130306.03.2017JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM, DISPOSITIF DE CONVERSION ÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE CONVERSION ÉLECTRIQUE
(JA) 炭化珪素半導体装置、電力変換装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、および電力変換装置の製造方法
Abrégé :
(EN) A drift layer (2) comprises silicon carbide, and has a first electrical conductivity type. A trench bottom part protection layer (7) is provided on the bottom part of a gate trench (6), and has a second electrical conductivity type. A depletion suppression layer (8) is provided between the side surface of the gate trench (6) and the drift layer (2), extends to a position deeper than the bottom part of the gate trench (6) from the lower part of a body region (5), has the first electrical conductivity type, and has a first-electrical-conductivity-type impurity concentration that is higher than the first-electrical-conductivity-type impurity concentration of the drift layer (2). The first-electrical-conductivity-type impurity concentration of the depletion suppression layer (8) decreases in accordance with separation from the side surface of the gate trench (6).
(FR) Selon l'invention, une couche de dérive (2) comprend du carbure de silicium, et a un premier type de conductivité électrique. Une couche de protection de partie inférieure de tranchée (7) est disposée sur la partie inférieure d'une tranchée de grille (6), et a un deuxième type de conductivité électrique. Une couche de suppression d'appauvrissement (8) est disposée entre la surface latérale de la tranchée de grille (6) et la couche de dérive (2), s'étend jusqu'à une position plus profonde que la partie inférieure de la tranchée de grille (6) à partir de la partie inférieure d'une région de corps (5), a le premier type de conductivité électrique, et a une concentration en impuretés à premier type de conductivité électrique qui est supérieure à la concentration en impuretés à premier type de conductivité électrique de la couche de dérive (2). La concentration en impuretés à premier type de conductivité électrique de la couche de suppression d'appauvrissement (8) diminue en fonction de la séparation par rapport à la surface latérale de la tranchée de grille (6).
(JA) ドリフト層(2)は、炭化珪素からなり、第1導電型を有している。トレンチ底部保護層(7)は、ゲートトレンチ(6)の底部に設けられており、第2導電型を有している。空乏化抑制層(8)は、ゲートトレンチ(6)の側面とドリフト層(2)との間に設けられており、ボディ領域(5)の下部からゲートトレンチ(6)の底部よりも深い位置にまで延びており、第1導電型を有しており、ドリフト層(2)が有する第1導電型の不純物濃度に比して高い第1導電型の不純物濃度を有している。空乏化抑制層(8)が有する第1導電型の不純物濃度は、ゲートトレンチ(6)の側面から離れるに連れて低下している。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)