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1. (WO2018163502) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET APPAREIL DE CROISSANCE D'UNE COUCHE ATOMIQUE DE PLASMA

Pub. No.:    WO/2018/163502    International Application No.:    PCT/JP2017/039427
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 01 00:59:59 CET 2017
IPC: C23C 16/04
C23C 16/455
H01L 21/31
H01L 51/50
H05B 33/04
H05B 33/10
Applicants: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
株式会社日本製鋼所
Inventors: WASHIO, Keisuke
鷲尾 圭亮
NAKATA, Masao
中田 真生
MATSUMOTO, Tatsuya
松本 竜弥
SHIDA, Junichi
次田 純一
Title: PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET APPAREIL DE CROISSANCE D'UNE COUCHE ATOMIQUE DE PLASMA
Abstract:
La présente invention concerne une technique de formation de film utilisant des particules chargées et supprimant la non-uniformité dans la distribution d'épaisseur de film provoquée par un champ magnétique de fuite. L'invention concerne un procédé de formation de film mettant en œuvre l'idée technique d'une commutation entre la génération et la non-génération d'un champ magnétique pendant une opération de formation de film, de sorte que la génération du champ magnétique soit arrêtée pendant une période dans laquelle un plasma est généré, et que le champ magnétique soit généré pendant une période dans laquelle le plasma n'est pas généré.