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1. (WO2018163469) CAPTEUR MEMS
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N° de publication : WO/2018/163469 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032770
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
G01P 21/00 (2006.01) ,B81B 7/02 (2006.01) ,G01C 19/5776 (2012.01) ,H01L 29/84 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
P
MESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
21
Essai ou étalonnage d'appareils ou de dispositifs couverts par les autres groupes de la présente sous-classe
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7
Systèmes à microstructure
02
comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p.ex. systèmes micro-électromécaniques (SMEM, MEMS)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
C
MESURE DES DISTANCES, DES NIVEAUX OU DES RELÈVEMENTS; GÉODÉSIE; NAVIGATION; INSTRUMENTS GYROSCOPIQUES; PHOTOGRAMMÉTRIE OU VIDÉOGRAMMÉTRIE
19
Gyroscopes; Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes; Dispositifs sensibles à la rotation sans masse en mouvement; Mesure de la vitesse angulaire en utilisant les effets gyroscopiques
56
Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p.ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis
5776
Traitement de signal non spécifique à l'un des dispositifs couverts par les groupes G01C19/5607-G01C19/5719141
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
84
commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
Déposants :
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs :
高橋 誠 TAKAHASHI, Makoto; JP
大島 俊 OOSHIMA, Takashi; JP
Mandataire :
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2017-04519309.03.2017JP
Titre (EN) MEMS SENSOR
(FR) CAPTEUR MEMS
(JA) MEMSセンサ
Abrégé :
(EN) This MEMS sensor comprises a first MEMS (a first MEMS and a drive circuit therefor) and a second MEMS (a second MEMS and a drive circuit therefor). This MEMS sensor comprises: a voltage application unit (a booster circuit) which applies a voltage to the first MEMS and the second MEMS; and a switching unit (a switch) which sets a first voltage that is applied to the first MEMS by means of the voltage application unit when the first MEMS is driven and a second voltage that is applied to the second MEMS by means of the voltage application unit when the second MEMS is driven to different values.
(FR) L'invention concerne un capteur MEMS comprenant un premier MEMS (un premier MEMS et un circuit d'excitation associé) et un deuxième MEMS (un deuxième MEMS et un circuit d'excitation associé). Le capteur MEMS selon l'invention comprend : une unité d'application de tension (un circuit survolteur) qui applique une tension au premier MEMS et au deuxième MEMS ; et une unité de commutation (un commutateur) qui règle une première tension qui est appliquée au premier MEMS au moyen de l'unité d'application de tension lorsque le premier MEMS est excité et une deuxième tension qui est appliquée au deuxième MEMS au moyen de l'unité d'application de tension lorsque le deuxième MEMS est excité à des valeurs différentes.
(JA) MEMSセンサは、第1のMEMS(第1のMEMSとその駆動回路)および第2のMEMS(第2のMEMSとその駆動回路)を有するMEMSセンサである。このMEMSセンサは、第1のMEMSおよび第2のMEMSに電圧を印加する電圧印加部(昇圧回路)と、第1のMEMSを駆動する際に、電圧印加部により第1のMEMSに印加する第1の電圧値と、第2のMEMSを駆動する際に、電圧印加部により第2のMEMSに印加する第2の電圧値とを異なる値にする切替部(スイッチ)と、を有する。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)