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1. (WO2018163396) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/163396 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009661
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
田中 博司 TANAKA Hiroshi; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置および半導体製造方法
Abrégé :
(EN) A rotational mechanism unit (20) rotates a wafer (10) including an area to be etched that is to be at least partly etched. An etching mechanism unit (30) etches the area to be etched. A thickness measuring function (40) generates chronological thickness data by measuring the thickness of the area to be etched. An etching control function (50) causes the etching mechanism unit (30) to be stopped at a point in time at which a thickness representative value (7a) of the area to be etched has reached a target thickness value. A thickness calculation function (60), in each unit period in which the wafer (10) is rotated N times, N being a natural number, calculates the thickness representative value (7a) on the basis of a measured value (7) in the chronological thickness data in a measurement interval which is the range measured during the unit period.
(FR) L'invention concerne une unité de mécanisme de rotation (20) qui fait tourner une tranche (10) comprenant une zone à graver qui doit être au moins partiellement gravée. Une unité de mécanisme de gravure (30) grave la zone à graver. Une fonction de mesure d'épaisseur (40) génère des données d'épaisseur chronologiques en mesurant l'épaisseur de la zone à graver. Une fonction de commande de gravure (50) amène l'unité de mécanisme de gravure (30) à être arrêtée à un moment donné auquel une valeur représentative d'épaisseur (7a) de la zone à graver a atteint une valeur d'épaisseur cible. Une fonction de calcul d'épaisseur (60), dans chaque période unitaire durant laquelle la tranche (10) est tournée N fois, N étant un entier naturel, calcule la valeur représentative d'épaisseur (7a) sur la base d'une valeur mesurée (7) dans les données d'épaisseur chronologiques dans un intervalle de mesure qui représente la plage mesurée pendant la période unitaire.
(JA) 回転機構部(20)は、少なくとも一部がエッチングされることになる被エッチング領域を含むウエハ(10)を回転させる。エッチング機構部(30)は、被エッチング領域をエッチングする。厚み測定機能(40)は、被エッチング領域の厚みを測定することによって経時的厚みデータを生成する。エッチング制御機能(50)は、被エッチング領域の厚みの代表値(7a)が目標厚み値に到達した時点でエッチング機構部(30)を停止させる。厚み算出機能(60)は、Nを自然数としてウエハ(10)がN回転させられる単位期間ごとに、経時的厚みデータのうち単位期間中に測定される範囲である測定区間の測定値(7)に基づいて厚みの代表値(7a)を算出する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)