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1. (WO2018163386) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROGRAMME
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N° de publication : WO/2018/163386 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009610
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 09.03.2017
CIB :
H01L 21/268 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
Déposants :
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs :
佐々木 伸也 SASAKI Shinya; JP
廣地 志有 HIROCHI Yukitomo; JP
道田 典明 MICHITA Noriaki; JP
Mandataire :
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
Abrégé :
(EN) Provided is a technology for enabling uniform substrate processing. The technology comprises: a processing chamber for processing a substrate; a heating device including a plurality of microwave supply sources for supplying microwaves for heating a substrate in the processing chamber; and a control unit configured to control the plurality of microwave supply sources so that the plurality of microwave supply sources are turned off in different periods while each of the plurality of microwave supply sources supplies a constant microwave input power to the substrate.
(FR) L'invention concerne une technologie pour permettre un traitement uniforme de substrat. La technologie comprend : une chambre de traitement pour traiter un substrat; un dispositif de chauffage comprenant une pluralité de sources d'alimentation en micro-ondes pour fournir des micro-ondes pour chauffer un substrat dans la chambre de traitement; et une unité de commande configurée pour commander la pluralité de sources d'alimentation en micro-ondes de telle sorte que la pluralité de sources d'alimentation en micro-ondes sont éteintes dans des périodes différentes tandis que chacune de la pluralité de sources d'alimentation en micro-ondes fournit une puissance d'entrée de micro-ondes constante au substrat.
(JA) 均一な基板処理を行うことが可能となる技術を提供する。基板を処理する処理室と、前記処理室内の基板を加熱するためのマイクロ波を供給する複数のマイクロ波供給源を有する加熱装置と、前記複数のマイクロ波供給源のそれぞれから前記基板に対して供給されるマイクロ波の入力電力を一定としつつ、前記複数のマイクロ波供給源がオフとなる期間がそれぞれ異なるように前記複数のマイクロ波供給源を制御するよう構成される制御部と、を有する技術を提供する。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)