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1. (WO2018163240) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
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N° de publication :
WO/2018/163240
N° de la demande internationale :
PCT/JP2017/008755
Date de publication :
13.09.2018
Date de dépôt international :
06.03.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :
15.09.2017
CIB :
H01J 37/147
(2006.01) ,
H01J 37/22
(2006.01) ,
H01J 37/28
(2006.01)
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02
Détails
04
Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
147
Dispositions pour diriger ou dévier la décharge le long d'une trajectoire déterminée
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02
Détails
22
Dispositifs optiques ou photographiques associés au tube
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
26
Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions
28
avec faisceaux de balayage
Déposants :
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
[JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
池田 一樹 IKEDA Kazuki
; JP
李 ウェン LI Wen
; JP
西元 琢真 NISHIMOTO Takuma
; JP
高橋 弘之 TAKAHASHI Hiroyuki
; JP
森 渉 MORI Wataru
; JP
鈴木 誠 SUZUKI Makoto
; JP
川野 源 KAWANO Hajime
; JP
Mandataire :
青稜特許業務法人 SEIRYO I.P.C.
; 東京都中央区八丁堀二丁目24番2号 24-2, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032, JP
Données relatives à la priorité :
Titre
(EN)
CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR)
DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA)
荷電粒子線装置
Abrégé :
(EN)
A charged particle beam device provided with: a deflection part for deflecting a charged particle beam released from a charged particle source and irradiating a sample with the charged particle beam; a reflection plate for reflecting secondary electrodes generated from the sample; and a control unit for controlling the deflection part on the basis of an image produced by detecting the secondary electrons reflected by the reflection plate. The deflection part has an electromagnetic deflection part for electromagnetically scanning the charged particle beam by a magnetic field, and an electrostatic deflection part for electrostatically scanning the charged particle beam by an electric field. The control unit controls the electromagnetic deflection part and the electrostatic deflection part, superimposes an electromagnetic deflection vector generated by the electromagnetic scanning and an electrostatic deflection vector generated by the electrostatic scanning, and controls at least the trajectory of the charged particle beam.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées comprenant : une partie de déviation servant à dévier un faisceau de particules chargées libéré par une source de particules chargées, et à exposer un échantillon au faisceau de particules chargées ; une plaque réfléchissante servant à réfléchir des électrodes secondaires générées par l'échantillon ; et une unité de commande servant à commander la partie de déviation sur la base d'une image produite par détection des électrons secondaires réfléchis par la plaque réfléchissante. La partie de déviation comprend une partie de déviation électromagnétique servant à balayer électromagnétiquement le faisceau de particules chargées au moyen d'un champ magnétique, et une partie de déviation électrostatique servant à balayer électrostatiquement le faisceau de particules chargées au moyen d'un champ électrique. L'unité de commande commande les parties de déviation électromagnétique et électrostatique, superpose un vecteur de déviation électromagnétique généré par le balayage électromagnétique et un vecteur de déviation électrostatique généré par le balayage électrostatique, et commande au moins la trajectoire du faisceau de particules chargées.
(JA)
荷電粒子源から放出された荷電粒子線を偏向して試料に照射する偏向部と、試料から発生する二次電子を反射させる反射板と、反射板から反射された二次電子を検出して作成された画像に基づいて偏向部を制御する制御部とを備える荷電粒子線装置である。偏向部は、磁界により前記荷電粒子線を電磁走査する電磁偏向部と、電界により荷電粒子線を静電走査する静電偏向部とを有し、制御部は、電磁偏向部と静電偏向部を制御して、電磁走査で生成される電磁偏向ベクトルと静電走査で生成される静電偏向ベクトルを重畳させて、少なくとも前記荷電粒子線の軌道を制御する。
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication :
japonais (
JA
)
Langue de dépôt :
japonais (
JA
)