Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018162480) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/162480 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/055472
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 06.03.2018
CIB :
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
60
Éléments réfléchissants
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
VON MALM, Norwin; DE
PLÖSSL, Andreas; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 104 886.308.03.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic component (100), the method comprising the following steps: A) providing a substrate (1); B) providing a metal liquid (2) that is arranged on the substrate (1) in a structured manner and has at least one first metal (Me1); C) providing semiconductor chips (3), each of which having a metal final layer (4) on the rear surface (31) thereof, wherein the metal final layer contains at least one second metal (Me2) that is different from the first metal (Me1); and D) self-organized arrangement (5) of the semiconductor chips (3) on the metal liquid (2) such that the first metal (Me1) and the second metal (Me2) form at least one intermetallic connection (6), which has a higher re-melting temperature than the melting temperature of the metal liquid (2), wherein the intermetallic connection (6) serves as a connecting layer between the substrate (1) and the semiconductor chips (3).
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un composant optoélectronique (100) comprenant les étapes suivantes : A) fournir un substrat (1), B) fournir un liquide métallique (2) qui est placée de manière structurée sur le substrat (1) et qui comporte au moins un premier métal (Me1), C) fournir des puces semi-conductrices (3) comportant chacune sur son côté arrière (31) une couche d’extrémité métallique (4), la couche d’extrémité métallique comportant au moins un deuxième métal (Me2) différent du premier métal (Me1), et D) un agencement auto-organisé (5) des puces semi-conductrices (3) sur le liquide métallique (2), de sorte que le premier métal (Me1) et le deuxième métal (Me2) forme au moins un composé intermétallique (6) ayant une température de refusion supérieure à la température de fusion du liquide métallique (2), le composé intermétallique (6) servant de couche de liaison entre le substrat (1) et les puces semi-conductrices (3).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Bereitstellen einer metallischen Flüssigkeit (2), die strukturiert auf dem Substrat (1) angeordnet ist und zumindest ein erstes Metall (Me1) aufweist, C) Bereitstellen von Halbleiterchips (3), die jeweils an ihrer Rückseite (31) eine metallische Abschlussschicht (4) aufweisen, wobei die metallische Abschlussschicht zumindest ein von dem ersten Metall (Me1) verschiedenes, zweites Metall (Me2) aufweist, und D) selbstorganisierte Anordnung (5) der Halbleiterchips (3) auf die metallische Flüssigkeit (2), so dass das erste Metall (Me1) und das zweite Metall (Me2) zumindest eine intermetallische Verbindung (6) ausbilden, die eine höhere WiederaufSchmelztemperatur als die Schmelztemperatur der metallischen Flüssigkeit (2) aufweist, wobei die intermetallische Verbindung (6) als Verbindungsschicht zwischen Substrat (1) und Halbleiterchips (3) dient.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)