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1. (WO2018162420) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/162420 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/055356
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 05.03.2018
CIB :
H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
60
Éléments réfléchissants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46
Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
WIESMANN, Christopher; DE
Mandataire :
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 104 871.508.03.2017DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Abrégé :
(EN) In an embodiment, the optoelectronic semiconductor component (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) for generating radiation. A mirror (3) for the generated radiation is located on a rear face (23). A support (4) which is transparent to the generated radiation is mounted on an emission side (20). A reflector housing (5) which is opaque to the radiation is located on lateral faces (45) of the support (4) and is designed for diffuse reflection of the generated radiation and has a radiation outlet opening (50) opposite the emission side (20). A width (W) of the reflector housing (5) decreases in a direction away from the emission side (20).
(FR) Dans un mode de réalisation de l'invention, un composant à semi-conducteur optoélectronique (1) comprend une succession de couches semi-conductrices (2) servant à générer un rayonnement. Un miroir (3) destiné au rayonnement généré se trouve sur une face arrière (23). Un support (4) perméable au rayonnement généré est placé sur un côté émission (20). Un boîtier de réflecteur (5) opaque au rayonnement se trouve sur des faces latérales (45) du support (4), est conçu pour la réflexion diffuse du rayonnement généré et présente une ouverture de sortie de rayonnement (50) opposée au côté émission (20). La largeur (W) du boîtier de réflecteur (5) diminue en s'éloignant du côté émission (20).
(DE) In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von Strahlung. Ein Spiegel (3) für die erzeugte Strahlung befindet sich an einer Rückseite (23). Ein für die erzeugte Strahlung durchlässiger Träger (4) ist an einer Emissionsseite (20) angebracht. Ein für die Strahlung undurchlässiges Reflektorgehäuse (5) befindet sich an Seitenflächen (45) des Trägers (4) und ist zur diffusen Reflexion der erzeugten Strahlung eingerichtet und weist eine der Emissionsseite (20) gegenüberliegende Strahlungsaustrittsöffnung (50) auf. Eine Breite (W) des Reflektorgehäuses (5) nimmt in Richtung weg von der Emissionsseite (20) ab.
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)