Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018162386) PROCÉDÉ SERVANT À FABRIQUER UN MASQUE TECHNIQUE

Pub. No.:    WO/2018/162386    International Application No.:    PCT/EP2018/055301
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 06 00:59:59 CET 2018
IPC: B23K 26/402
B23K 26/00
C23C 14/12
C23C 14/04
Applicants: LPKF LASER & ELECTRONICS AG
Inventors: OSTHOLT, Roman
AMBROSIUS, Norbert
SCHNOOR, Arne
DUNKER, Daniel
HALE, Kevin
DÖRGE, Moritz
WENKE, Stephan
Title: PROCÉDÉ SERVANT À FABRIQUER UN MASQUE TECHNIQUE
Abstract:
L'invention concerne un procédé servant à fabriquer un masque (1) technique à partir d'un substrat (2) en forme de plaque, par exemple composé de verre, de saphir ou de silicium. Au moins une ouverture du masque (1) est fabriquée au moyen d'une gravure profonde induite par laser. Le substrat (2) est transparent au moins à la longueur d'ondes laser utilisée lors de la gravure profonde induite par laser. Le substrat (2) est à cet effet modifié pour séparer des contours (3) en particulier fermés par les impulsions du laser le long de lignes d'usinage (4) prédéfinies. Des coupures locales des lignes d'usinage (4) sous la forme d'éléments de liaison, appelées breakout tabs ou pattes de rupture, veillent à ce que les contours (3) à séparer soient reliés, également après le traitement avec la solution d'attaque, dans un premier temps encore au substrat (2) en forme de plaque. Le substrat (2) en forme de plaque ainsi prétraité est traité dans l'étape qui suit avec une solution d'attaque, telle que de l'acide fluorhydrique (HF) ou de l'hydroxyde de potassium (KOH), ce qui permet de soumettre les zones non modifiées du substrat (2) à une gravure homogène et isotrope. Les zones modifiées réagissent par rapport aux zones non traitées du substrat (2) de manière anisotrope si bien que se forment dans un premier temps aux emplacements traités des renfoncements orientés jusqu'à ce que pour finir le matériau du substrat (2) soit totalement dissous sur ledit emplacement.