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1. (WO2018162076) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/162076 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/055674
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
LIM, Keng Chong; MY
LEOW, Ting Qiao; MY
Mandataire :
PATENT ATTORNEYS WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 Munich, DE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) An optoelectronic semiconductor component (10) comprises a carrier (100) having an upper side (110), and an optoelectronic semiconductor chip (200) arranged on the upper side (110) of the carrier (100). A radiation emission surface (210) of the optoelectronic semiconductor chip (200) faces away from the carrier (100). A first encapsulant (300) covers the radiation emission surface (210). A thickness of the first encapsulant (300) measured in a direction (211) perpendicular to the radiation emission surface (210) is larger above a centre (220) of the radiation emission surface (210) than above a margin (230) of the radiation emission surface (210). A second encapsulant (400) is arranged above the upper side (110) of the carrier (100) and covers the first encapsulant (300) at least partially. The first encapsulant (300) comprises a first concentration of embedded phosphor particles, and the second encapsulant (400) comprises a second concentration of embedded phosphor particles.
(FR) La présente invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (10) comprenant un support (100) ayant un côté supérieur (110), et une puce semi-conductrice optoélectronique (200) disposée sur le côté supérieur (110) du support (100). Une surface d'émission de rayonnement (210) de la puce semi-conductrice optoélectronique (200) est éloignée du support (100). Un premier agent d'encapsulation (300) recouvre la surface d'émission de rayonnement (210). Une épaisseur du premier agent d'encapsulation (300) mesurée dans une direction (211) perpendiculaire à la surface d'émission de rayonnement (210) est plus grande au-dessus d'un centre (220) de la surface d'émission de rayonnement (210) qu'au-dessus d'une marge (230) de la surface d'émission de rayonnement (210). Un second agent d'encapsulation (400) est disposé au-dessus du côté supérieur (110) du support (100) et recouvre au moins partiellement le premier agent d'encapsulation (300). Le premier agent d'encapsulation (300) comprend une première concentration de particules de phosphore incorporées, et le second agent d'encapsulation (400) comprend une seconde concentration de particules de phosphore incorporées.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)