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1. (WO2018162075) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/162075 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/055672
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H01L 33/50 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
SAAD, Mohd Jamzira; MY
KOAY, Seong Tak; MY
LIM, Choon Kim; MY
Mandataire :
WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 Munich, DE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A method for producing an optoelectronic semiconductor component comprises steps for providing a first carrier with an upper side, the upper side of the first carrier comprising a recess,arranging a sheet of wavelength converting material on the upper side of the first carrier, providing a second carrier with an upper side, arranging an optoelectronic semiconductor chip on the upper side of the second carrier, arranging a casting material above the sheet of wavelength converting material in the recess of the first carrier, arranging the second carrier above the first carrier, such that the upper side of the second carrier faces the upper side of the first carrier, wherein the optoelectronic semiconductor chip is immersed in the casting material, and removing the first carrier and the second carrier to obtain a compound body comprising the casting material, the optoelectronic semiconductor chip and the sheet of wavelength converting material.
(FR) Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique à semi-conducteur, comprenant les étapes consistant à : fournir un premier support ayant un côté supérieur, le côté supérieur du premier support comprenant un évidement, agencer une feuille de matériau de conversion de longueur d'onde sur le côté supérieur du premier support, fournir un second support avec un côté supérieur, agencer une puce optoélectronique à semi-conducteur sur le côté supérieur du second support, agencer un matériau de coulée au-dessus de la feuille de matériau de conversion de longueur d'onde dans l'évidement du premier support, agencer le second support au-dessus du premier support, de telle sorte que le côté supérieur du second support fait face au côté supérieur du premier support, la puce optoélectronique à semi-conducteur étant immergée dans le matériau de coulée, et retirer le premier support et le second support pour obtenir un corps composite comprenant le matériau de coulée, la puce optoélectronique à semi-conducteur et la feuille de matériau de conversion de longueur d'onde.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)