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1. (WO2018161865) COMMANDE DE GRAVURE D'ESCALIER DANS LA FORMATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL
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N° de publication : WO/2018/161865 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/077931
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 02.03.2018
CIB :
H01L 27/11551 (2017.01) ,H01L 27/11578 (2017.01) ,H01L 23/544 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01)
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H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
544
Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas d'essai
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
68
pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
Déposants :
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No. 18, Huaguang Road Guandong Science and Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventeurs :
LU, Zhenyu; CN
SONG, Lidong; CN
LI, Yongna; CN
PAN, Feng; CN
DAI, Xiaowang; CN
LIU, Dan; CN
YANG, Steve, Weiyi; CN
YANG, Simon, Shi-Ning; CN
Mandataire :
北京永新同创知识产权代理有限公司 NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 中国北京市 东城区北三环东路36号北京环球贸易中心C座10层 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center, 36 North Third Ring Road East, Dongcheng District Beijing 100013, CN
Données relatives à la priorité :
201710134787.408.03.2017CN
Titre (EN) STAIRCASE ETCH CONTROL IN FORMING THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE
(FR) COMMANDE DE GRAVURE D'ESCALIER DANS LA FORMATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL
Abrégé :
(EN) Three-dimensional (3D) memory devices and methods for controlling a photoresist (PR) trimming rate in the formation of the 3D memory devices are disclosed. A method includes forming a dielectric stack over a substrate, measuring a first distance between the first trimming mark and the PR layer along a first direction, and trimming the PR layer along the first direction. The method also includes etching the dielectric stack using the trimmed PR layer as an etch mask to form a staircase, forming a second trimming mark using the first trimming mark as an etch mask, measuring a second distance between the second trimming mark and the trimmed PR layer, comparing the first distance with the second distance to determine a difference between an actual PR trimming rate and an estimated PR trimming rate, and adjusting PR trimming parameters based on the difference.
(FR) L'invention concerne des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et des procédés de commande d'un taux de rognage de photorésine (PR) dans la formation des dispositifs de mémoire 3D. Un procédé consiste à former une pile diélectrique sur un substrat, à mesurer une première distance entre la première marque de rognage et la couche PR le long d'une première direction, et à rogner la couche PR le long de la première direction. Le procédé comprend également la gravure de la pile diélectrique à l'aide de la couche PR rognée en tant que masque de gravure pour former un escalier, la formation d'une seconde marque de rognage à l'aide de la première marque de rognage en tant que masque de gravure, la mesure d'une seconde distance entre la seconde marque de rognage et la couche PR rognée, la comparaison de la première distance avec la seconde distance pour déterminer une différence entre un taux de rognage PR réel et un taux de rognage PR estimé, et l'ajustement de paramètres de rognage PR sur la base de la différence.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)