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1. (WO2018161846) STRUCTURES D'OUVERTURE D'ARTICULATION DE DISPOSITIFS MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION

Pub. No.:    WO/2018/161846    International Application No.:    PCT/CN2018/077785
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/768
H01L 27/11551
H01L 27/11578
Applicants: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Inventors: LU, Zhenyu
SHI, Wenguang
WU, Guanping
PAN, Feng
WAN, Xianjin
CHEN, Baoyou
Title: STRUCTURES D'OUVERTURE D'ARTICULATION DE DISPOSITIFS MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abstract:
L'invention concerne des structures d'ouverture d'articulation de dispositifs mémoire 3D et un procédé de fabrication. Une structure d'ouverture d'articulation comprend un premier trou traversant pénétrant une première couche empilée et une première couche de connexion isolante, une première structure de canal au fond du premier trou traversant, une première couche fonctionnelle sur la paroi latérale du premier trou traversant, une seconde structure de canal sur la paroi latérale de la première couche fonctionnelle, une troisième structure de canal sur le premier trou traversant, une seconde couche empilée sur la troisième structure de canal, une seconde couche de connexion isolante sur la seconde couche empilée, un second trou traversant pénétrant dans la seconde couche empilée et la seconde couche de connexion isolante, une seconde couche fonctionnelle disposée sur la paroi latérale du second trou traversant, une quatrième structure de canal sur la paroi latérale de la seconde couche fonctionnelle, et une cinquième structure de canal sur le second trou traversant.