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1. (WO2018161838) SUBSTRAT COMPOSITE DE DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
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N° de publication : WO/2018/161838 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/077731
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 01.03.2018
CIB :
H01L 27/11524 (2017.01)
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
Déposants :
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No. 18, Huaguang Road Guandong Science and Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventeurs :
HUA, Wenyu; CN
XIA, Zhiliang; CN
JIANG, Yangbo; CN
LIU, Fandong; CN
HONG, Peizhen; CN
FU, Fenghua; CN
YANG, Yaohua; CN
ZENG, Ming; CN
HUO, Zongliang; CN
Mandataire :
北京永新同创知识产权代理有限公司 NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 中国北京市 东城区北三环东路36号北京环球贸易中心C座10层 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center, 36 North Third Ring Road East, Dongcheng District Beijing 100013, CN
Données relatives à la priorité :
201710131749.307.03.2017CN
Titre (EN) COMPOSITE SUBSTRATE OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE DE DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
Abrégé :
(EN) The present disclosure describes methods and structures for three-dimensional memory devices. The methods include providing a bottom substrate and forming a plurality of doped layers over the bottom substrate. The plurality of doped layers has a total thickness in a thickness range such that a top surface of the plurality of doped layers is substantially flat and a doping concentration of each of the plurality of doped layers is substantially uniform along a direction substantially perpendicular to the top surface of the plurality of doped layers.
(FR) La présente invention concerne des procédés et des structures de dispositifs de mémoire tridimensionnels. Les procédés consistent à fournir un substrat inférieur et à former une pluralité de couches dopées sur ce dernier. La pluralité de couches dopées présente une épaisseur totale dans une plage d'épaisseur telle qu'une surface supérieure de la pluralité de couches dopées est sensiblement plate et la concentration de dopage de chaque couche de la pluralité de couches dopées est sensiblement uniforme dans une direction sensiblement perpendiculaire à la surface supérieure de la pluralité de couches dopées.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)