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1. (WO2018161624) SUBSTRAT DE RÉSEAU, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, TRANSISTOR D'ATTAQUE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/161624 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/109284
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 03.11.2017
CIB :
H01L 21/77 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants :
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015, CN
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 118 Jinghaiyilu, BDA, Beijing 100176, CN
Inventeurs :
XU, Wenqing; CN
LIU, Mingxuan; CN
WANG, Jing; CN
ZHANG, Xiaoxiang; CN
GUO, Huibin; CN
Mandataire :
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201710142461.610.03.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, DRIVING TRANSISTOR AND DISPLAY PANEL
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, TRANSISTOR D'ATTAQUE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
Abrégé :
(EN) An array substrate (100) includes a pixel circuit and a light-emitting diode (02). The pixel circuit includes a driving transistor including a first active medium (A1) made of polysilicon, and a switching transistor including a second active medium (A2) made of polysilicon. The first active medium (A1) has a first grain size. The second active medium (A2) has a second grain size larger than the first grain size. The light-emitting diode (02) is coupled to the pixel circuit.
(FR) Cette invention concerne un substrat de réseau (100), comprenant un circuit de pixels et une diode électroluminescente (02). Le circuit de pixels comprend un transistor d'attaque comprenant un premier milieu actif (A1) fait de polysilicium, et un transistor de commutation comprenant un second milieu actif (A2) fait de polysilicium. Le premier milieu actif (A1) a une première taille de grain. Le second milieu actif (A2) a une seconde taille de grain supérieure à la première taille de grain. La diode électroluminescente (02) est couplée au circuit de pixels.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)