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1. (WO2018161511) MÉCANISME DE GÉNÉRATION DE CHAMP MAGNÉTIQUE DE CHAMBRE DE RÉACTION ET CHAMBRE DE RÉACTION
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N° de publication : WO/2018/161511 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/100723
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 06.09.2017
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventeurs :
肖德志 XIAO, Dezhi; CN
琚里 JU, Li; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201710138001.609.03.2017CN
201710308023.204.05.2017CN
Titre (EN) MAGNETIC FIELD GENERATION MECHANISM OF REACTION CHAMBER AND REACTION CHAMBER
(FR) MÉCANISME DE GÉNÉRATION DE CHAMP MAGNÉTIQUE DE CHAMBRE DE RÉACTION ET CHAMBRE DE RÉACTION
(ZH) 反应腔室的磁场产生机构和反应腔室
Abrégé :
(EN) A magnetic field generation mechanism of a reaction chamber (17) and the reaction chamber (17). The magnetic field generation mechanism comprises a coil (1) surrounding the reaction chamber (17); the coil (1) comprises a columnar spiral line part (12) and a plurality of sub-coil parts (11) formed on the columnar spiral line part (12), and the plurality of sub-coil parts (11) is successively provided along the spiral winding direction of the columnar spiral line part (12); each sub-coil part (11) is wound around a first axis, and the first axis is inclined relative to the vertical direction so that the total magnetic intensity vector of a magnetic field generated by the coil (1) has a horizontal component. The magnetic field generation mechanism of the reaction chamber (17) can not only increase the plasma density to improve the processing rate of wafer surface, but also can decrease the electron temperature to reduce damage to wafer surface.
(FR) L'invention concerne un mécanisme de génération de champ magnétique d'une chambre de réaction (17) et une chambre de réaction (17). Le mécanisme de génération de champ magnétique comprend une bobine (1) entourant la chambre de réaction (17); la bobine (1) comprend une partie de ligne en spirale en colonne (12) et une pluralité de parties de sous-bobine (11) formées sur la partie de ligne en spirale en colonne (12), et la pluralité de parties de sous-bobine (11) est disposée successivement le long de la direction d'enroulement en spirale de la partie de ligne en spirale en colonne (12); chaque partie de sous-bobine (11) est enroulée autour d'un premier axe, et le premier axe est incliné par rapport à la direction verticale de telle sorte que le vecteur d'intensité magnétique totale d'un champ magnétique généré par la bobine (1) a une composante horizontale. Le mécanisme de génération de champ magnétique de la chambre de réaction (17) peut non seulement augmenter la densité du plasma pour améliorer le taux de traitement de la surface de la plaquette, mais peut également diminuer la température des électrons pour réduire les dommages à la surface de la plaquette.
(ZH) 一种反应腔室(17)的磁场产生机构和反应腔室(17),其包括环绕在反应腔室(17)周围的线圈(1),该线圈(1)包括柱状螺旋线部(12)和在该柱状螺旋线部(12)上形成的多个子线圈部(11),且多个子线圈部(11)沿柱状螺旋线部(12)的螺旋缠绕方向依次设置;每个子线圈部(11)围绕第一轴线缠绕,第一轴线相对于竖直方向倾斜,以使由线圈(1)产生的磁场的总磁场强度矢量具有水平分量。该反应腔室(17)的磁场产生机构,其不仅可以提高等离子体密度,从而可以提高对晶圆表面的处理速率,而且可以降低电子温度,从而可以减少晶圆表面损伤。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)