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1. (WO2018161411) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/161411    International Application No.:    PCT/CN2017/080933
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Apr 19 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/12
H01L 21/84
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventors: LI, Wenying
李文英
Title: SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un substrat de réseau de transistors à couches minces et son procédé de fabrication. Le substrat de réseau de transistors à couches minces comprend : un substrat (301); une première ligne de données (102); une première couche d'isolation (302); une ligne de balayage (101); une seconde couche d'isolation (306); une seconde ligne de données (103); et un groupe d'unités de pixels. La première ligne de données et la seconde ligne de données sont parallèles l'une à l'autre. La première ligne de données chevauche partiellement ou complètement la seconde ligne de données dans une direction perpendiculaire à un plan dans lequel se trouve le substrat. La présente invention peut augmenter le rapport d'ouverture d'une unité de pixel, ce qui permet d'améliorer les performances d'affichage.